毫米波/太赫兹多金属层半导体器件的接地屏蔽结构制造技术

本发明专利技术公开了一种关于改善毫米波/太赫兹电路器件性能的接地屏蔽结构。该接地屏蔽结构，包括了一个接地屏蔽金属环和一个接地隔离金属条，接地屏蔽金属环把半导体器件的两个端口包围形成一个环状，接地隔离金属条把半导体器件两个端口隔离。该发明专利技术有效地降低半导体器件的损耗，提高其截止频率，适用于毫米波/太赫兹的单片电路设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及毫米波/太赫兹单片集成
，具体涉及一种毫米波/太赫兹多金属层半导体器件的接地屏蔽结构。
技术介绍
毫米波/太赫兹具有宽频带、高精度、高分辨率和大信息容量等优点，在军事雷达系统、射电天文学和太空以及短距离无线高速传输等领域有着巨大的应用价值和市场前景。单片微波集成电路(MMIC-MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit)作为毫米波/太赫兹通信、雷达、电子战等系统的核心元件，它是利用离子注入、溅射、蒸发等工艺流程，在一块半导体衬底上集成有源、无源器件的微波电路。随着三五代半导体材料的发展，硅基技术仍然以它低成本，高集成度的优点成为工程师的首选，。随着硅基技术的成熟发展，SiGe-HBT器件不仅解决了硅基工艺高频性能缺陷的问题，同时还继承了其高集成度的优点，为同一个IC芯片以较低的成本集成多种功能的SOC系统提供了可能性。对于单片微波集成电路而言，最为重要的就是减少衬底损耗、提高器件的截止频率，从而提高器件的适用工作频率。在进行毫米波单片集成电路设计的时候，考虑到硅基固有的衬底损耗，通常使用最底层金属层作本文档来自技高网...

【技术保护点】
接地屏蔽金属环和接地隔离金属条由金属层1通过通孔2,4,6,810逐层连接金属层3,5,7,9一直到金属层11形成两个衔接的金属环状。

【技术特征摘要】
1.接地屏蔽金属环和接地隔离金属条由金属层1通过通孔2,4,6,810逐层连接金属层3,5,7,9一直到金属层11形成两个衔接的金属环状。
2.如权利要求1所言，有源晶体管发射极与接地屏蔽环、接地隔离金属条相连接形成良好接地。有源晶体管基级16与金属层103、金属层303、金属层503、金属层703、金属层903、金属层1103、金属层1301通过通孔203...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，杨漫菲，马凯文，陈庆，方堃，孙博文，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51