低蚀刻性较厚光刻胶清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明专利技术的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶（光阻）和其它残留物，尤其适用于较厚（厚度大于１００微米）光刻胶的清洗，同时对于Ｃｕ（铜）等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，史永涛，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31