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本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶（光阻）和其它残留物，尤其适用于较厚（厚度大于１００微米）光刻胶的清洗，...
该专利属于安集微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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