软硬结合板等离子处理过程防铜箔膨胀的方法技术

本发明专利技术提供了一种软硬结合板等离子处理过程防铜箔膨胀的方法，包括：贴胶带步骤，用于在层压前在软板区上贴一层聚酰亚胺胶带；层压步骤，用于采用覆箔法进行层压以便在软硬结合板上覆铜箔，其中在软板区上覆盖铜箔，并且铜箔直接和软板区的覆盖膜接触；铜箔蚀刻步骤，用于在层压后通过图形蚀刻方式蚀刻掉软板区上的铜箔；等离子处理步骤，用于执行等离子处理以实现去钻污；聚酰亚胺胶带去除步骤，用于去除聚酰亚胺胶带。根据本发明专利技术，通过层压前在软板区上贴一层耐高温的聚酰亚胺胶带保护软板区，并在层压后通过蚀刻方式去除软板区上的铜箔，使得等离子处理过程中不会出现铜箔膨胀，并且使覆盖膜不受损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及印制线路板制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
部分软硬结合板由于叠构设计特点，需要采用覆箔法层压表层；其中铜箔直接和软板的CVL (Coverlayer,覆盖膜)接触。这部分软硬结合板有的对可靠性要求很高,工艺技术上要求孔壁要做到正凹蚀效果。软板基材的材质特殊，在沉铜前的去钻污流程采取一般的湿法处理无法获得理想的正凹蚀效果，沉铜前要进行等离子(Plasma)处理才可以达到理想效果。但等离子对软板基材上的CVL有很强的咬蚀效果，一般标称25um PI (Polyimide，聚酰亚胺)膜厚的CVL材质直接和等尚子处理后可能叹蚀掉IOum左右的厚度，由此最后PI I旲厚只有10_15um,而月旲厚度变薄将会带来后续的可靠性隐患。因此，在等离子处理时会尽量避免CVL的表层PI膜暴露在等离子气体氛围中被咬蚀掉。这样，一般在软硬结合板做等离子工艺处理时对于覆箔法工艺CVL上的铜箔会保留，在等离子处理后再蚀刻掉。图I示意性地示出了层压前的软硬结合板。图2示意性地示出了层压后的软硬结合板。在等离子的高真空环境下，由于表层铜箔41、42和软板区I存在空隙，抽真空后形成的内外压力差将导致软板区I包括软板区上的铜箔一起向外膨胀鼓起。具体地说，在压合过程中，由于有抽真空要求，真空度一般在10_30tor(托，真空度的单位，ltor=133Pa),也就是说软板上的铜箔和软板区空隙真空度在10_30tor,而在等离子处理过程，真空度非常高，一般在O. 25tor左右，这样软板上的铜箔两侧的真空度相差很大，在100倍左右，从而产生很大的压力差，因此在将软板从等离子腔体取出后可以看见软板区铜箔急剧向外膨胀。软板区越大膨胀得也越大。如果向外膨胀过大，则软板区厚度会太大，由此容易搭到等离子腔体的电极上局部放电，而将软板区烧蚀；同时软板区过度向外膨胀会对软硬交接处有拉扯，影响到层间结合力，半固化片31、32的玻璃布和树脂之间疏松，电镀溶液容易顺着疏松处渗入板内，导致空洞分层等缺陷。过度膨胀的软板区还可能导致后续的磨板过程铜箔破损(有的出现极微小的针孔，肉眼很难分辨)，在一系列湿制程处理后就会有溶液进入带来品质隐患。也就是说，由于铜箔鼓起高度明显超出其余位置的板厚，在后续磨板、图形制作以及电镀过程中很容易破损，容易进入溶液对软板区图形腐蚀，从而带来了品质缺陷问题。同时，软板区I向外膨胀鼓起时容易拉扯到硬板2的图形，从而将导致软硬交接处硬板图形发白分层等问题。为了防止软硬结合板在等离子处理过程中出现铜箔膨胀，现有技术提出在和软板区连通的废料区(在正式图形之外，废料区和整个软板区要连在一起，两者是相通的)钻排气孔，等离子处理过程中释放残余的气体使软板区里外压力均衡，避免了软板区的膨胀。但是，上述方法虽然可以解决软板区在等离子处理过程中膨胀问题，但由于软板区的排气区域6上钻了排气孔，该孔在做完等离子处理过程后必须用胶带贴紧或胶粒塞住，后面的所有湿制程(包括孔化电镀、外层图形转移、阻焊制作、整平前处理等)必须完好不能有一点破损，否则溶液就会进入板内CVL区域，轻微的影响到外观，严重的造成爆板。因此该方法对操作过程要求很高，每一步湿制程前均要确认排气孔有无异常，而一旦排气孔处有溶液进入就算及时采取措施将溶液排出，但难免有溶液结晶的残留，严重影响到外观，对品质影响较大
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在无需钻排气孔的情况下即可有效地防止软硬结合板在等离子处理过程中出现铜箔膨胀的方法。根据本专利技术，提供了一种，其包括贴胶带步骤，用于在层压前在软板区上贴一层聚酰亚胺胶带；层压步骤，用于采用覆箔法进行层压以便在软硬结合板上覆铜箔，其中在软板区上覆盖铜箔，并且铜箔直接和软板区的覆盖膜接触；铜箔蚀刻步骤，用于在层压后通过图形蚀刻方式蚀刻掉软板区上的铜箔；等离子处理步骤，用于执行等离子处理以实现去钻污；聚酰亚胺胶带去除步骤，用于去除聚酰亚胺胶带。优选地，在层压步骤中，通过层压过程的温度和压力以及抽真空过程，使得聚酰亚胺胶带贴在软板区的覆盖膜上。优选地，在层压步骤中，贴聚酰亚胺胶带的区域不在硬板的有效图形区。优选地，在层压步骤中，在软板至硬板的方向上，贴聚酰亚胺胶带的区域距软硬交接处 O. 2-1. 0mm。优选地，在层压步骤中，贴聚酰亚胺胶带的区域在硬板废料区一侧时要比软板区尺寸略大。优选地，铜箔蚀刻步骤包括依次执行的化学前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻、去膜。优选地，在成品出货前执行聚酰亚胺胶带去除步骤以去除软板区上的聚酰亚胺胶带。优选地，在无需对软硬结合板进行加工处理时执行聚酰亚胺胶带去除步骤以去除聚酰亚胺胶带。在本专利技术的中，通过层压前在软板区上贴一层耐高温的聚酰亚胺胶带保护软板区，并在层压后通过蚀刻方式去除软板区上的铜箔，从而露出软板区；由此使得等离子处理过程中不会出现铜箔膨胀，并且在等离子处理过程中能够通过软板区上的聚酰亚胺胶带有效地保障软板区上的覆盖膜不受损伤，不会直接被等离子气体咬蚀掉。并且，可以在成品出货前再将该聚酰亚胺胶带揭掉，以进一步保证软板区上覆盖膜的完整。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了层压前的软硬结合板。图2示意性 地示出了层压后的软硬结合板。图3示意性地示出了根据本专利技术实施例的的流程图。图4示意性地示出了根据本专利技术实施例的的贴胶带步骤的示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施例方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图3示意性地示出了根据本专利技术实施例的的流程图。具体地说，如图3所示，根据本专利技术实施例的包括贴胶带步骤SI，用于在层压前在软板区I上贴一层耐高温的PI (Polyimide，聚酰亚胺)胶带6，如图4所示，并且在该聚酰亚胺胶带6贴好后才进行后续的软硬结合板的正常层压。层压步骤S2，用于采用覆箔法进行层压以便在软硬结合板上覆铜箔(例如图I所示的铜箔41、42)，铜箔直接和软板区I的覆盖膜接触；通过层压过程的温度和压力(例如高温高压)以及抽真空过程，使得聚酰亚胺胶带6牢牢贴在软板的覆盖膜上。其中，硬板区20的叠层结构可以是如图I和图2所示的叠层结构，也可以与图I和图2所示的叠层结构有所不同，实际上，本专利技术中硬板区20的叠层结构并不限于图I和图2所示的叠层结构。优选地，贴聚酰亚胺胶带的区域不在硬板的有效图形区，例如在软板至硬板的方向上，贴聚酰亚胺胶带6的区域不与硬板区20接触；进一步优选地，在软板至硬板的方向上，贴聚酰亚胺胶带6的区域距软硬交接处O. 2-1. Omm,从而防止聚酰亚胺胶带6贴到硬板区，由此避免聚酰亚胺胶带6压到硬板有效图形内；此外，优选地，贴聚酰亚胺胶带的区域6在硬板废料区一侧时要比软板区I尺寸略大，便于后续戒掉聚酰亚胺胶带6方便。铜箔蚀刻步骤S3，用于在层压后通过图形蚀刻方式蚀刻掉软板区I上的铜箔，具体流程例如包括依次执行的化学前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻、去膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种软硬结合板等离子处理过程防铜箔膨胀的方法，其特征在于包括：贴胶带步骤，用于在层压前在软板区上贴一层聚酰亚胺胶带；层压步骤，用于采用覆箔法进行层压以便在软硬结合板上覆铜箔，其中在软板区上覆盖铜箔，并且铜箔直接和软板区的覆盖膜接触；铜箔蚀刻步骤，用于在层压后通过图形蚀刻方式蚀刻掉软板区上的铜箔；等离子处理步骤，用于执行等离子处理以实现去钻污；聚酰亚胺胶带去除步骤，用于去除聚酰亚胺胶带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秋华，穆敦发，吴小龙，吴梅珠，徐杰栋，胡广群，梁少文，
申请(专利权)人：无锡江南计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：