【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统。
技术介绍
现有技术中，在进行磁控溅射薄膜制备工艺时，由于该工艺的预设高真空压力大约为500纳托 1000纳托，而工艺过程中的压力大约为2毫托飞毫托，所以腔体的高真空泵一般采取单一的低温泵即可满足要求。图I是本专利技术
技术介绍
中采用单一的低温泵的作为磁控溅射薄膜制备工艺中腔体的高真空泵的结构示意图；如图I所示，腔体I在预抽高真空和工艺过程中都使用低温泵2，即可满足该真空系统小流量气体、低压力的溅射工艺。 但是，随着集成电路制造技术进入45纳米及其以下工艺节点以后，需要引入低应力的金属硬掩模版氮化钛薄膜，工艺过程中压力需要维持在12毫托 40毫托，且需要使用更多流量的工艺气体(如氩气和氮气)才能满足制备金属硬掩模版氮化钛薄膜的工艺需求，由于传统的工艺均采用单一的低温泵作为反应腔体的高真空泵，而低温泵只是采用低温吸附的方式来获得真空，这就造成了抽取真空时低温泵负担过重，而使其使用寿命缩短，以至于无法应用于量产。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术揭示了一种制备金属掩模版氮化...
【技术保护点】
一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，包括反应腔室及与所述反应腔室连接的低温泵，其特征在于，根据反应腔室工艺条件设置至少一个与所述低温泵并联的高真空泵。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡彬彬，陈建维，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。