玻璃基片装载装置及立式镀膜装置制造方法及图纸

一种玻璃基片装载装置，包括：与地面垂直设置的框架，框架上开设有用于收容玻璃基片的窗口，窗口的尺寸大于玻璃基片的尺寸；相互间隔设置的两个连接件，每一连接件的一端与框架位于所述窗口的顶部可转动相连，另一端与玻璃基片的顶部可转动相连，两个连接件的两个另一端的间距随着玻璃基片受热膨胀而伸长，且随着玻璃基片冷却收缩而缩小；及限位件，设于框架位于窗口的底部，限位件上开设有收容玻璃基片的底部的凹槽。当玻璃基片膨胀时，玻璃基片的横向间距会增大，两个连接件也会随之自然的张开，连接件之间的玻璃基片不会因为挤压而变形。本发明专利技术还提供一种应用了玻璃基片装载装置的立式镀膜装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜铟镓硒薄膜电池设备领域，特别是涉及玻璃基片装载装置及立式镀膜装置。
技术介绍
薄膜太阳能电池成本低重量轻，能在多种便宜的衬底上制备成器件，便于大规模生产，铜铟镓硒薄膜太阳能电池能够同时兼顾高效率和低成本，在大规模光伏发电应用中具有可持续发展的能力。传统的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法一般包括如下步骤在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；采用溅射法或者蒸发法在金属背电极层上形成铜铟镓硒光吸收层；在铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成阻挡层；最后在阻挡层表面上形成窗口层以 及栅电极等。其中，蒸发法形成铜铟镓硒光吸收层的一般方法是，把镀有钥电极的玻璃衬底加热到550°C左右，再在真空中分别加热铜源、铟源、镓源和硒源，产生铜蒸汽、铟蒸汽、镓蒸汽和硒蒸汽，使铜元素、铟元素、镓元素和硒元素分别沉积到衬底上，从而生成铜铟镓硒Cu(InGa) Se2光吸收层。传统的铜铟镓硒薄膜电池生产流水线一般通过一个玻璃基片装载装置将玻璃基片固定后，依次送入各个镀膜室中镀膜。该玻璃基片装载装置通过设置与玻璃厚度相配的通槽将玻璃基片固定在玻璃基片装载装置的框架内，或者通过挂钩将玻璃悬挂固定在玻璃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃基片装载装置，可以在轨道上移动，其特征在于，包括：与地面垂直设置的框架，所述框架上开设有用于收容玻璃基片的窗口，所述窗口的尺寸大于所述玻璃基片的尺寸；相互间隔设置的两个连接件，每一连接件的一端与所述框架位于所述窗口的顶部可转动相连，另一端与所述玻璃基片的顶部可转动相连，所述两个连接件的两个另一端的间距随着所述玻璃基片受热膨胀而伸长，且随着所述玻璃基片冷却收缩而缩小；及限位件，设于所述框架位于所述窗口的底部，所述限位件上开设有收容所述玻璃基片的底部的凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旺寿，肖旭东，张撷秋，刘壮，顾光一，杨春雷，宋秋明，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，香港中文大学，
类型：发明
国别省市：