【技术实现步骤摘要】
双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
本专利技术涉及一种成膜方法,特别是涉及一种能够在长基体的双面进行真空成膜的双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体。
技术介绍
目前开发出了真空蒸镀法、溅射法、离子镀膜法等各种成膜方法。利用上述成膜方法获得的层积体被广泛用于制造例如,液晶显示器或有机EL显示器等显示装置、半导体装置等。层积体能够用作上述显示装置或半导体装置等的保护膜、光学薄膜、反射防止薄膜之类的各种功能性薄膜。近年来,液晶电视、移动电话、视频游戏机等使用上述功能性薄膜的设备装置的需要急速增长。伴随着需要的增长,急需开发出在短时间内大量生产功能性薄膜的技术。为了应对上述要求,开发出了辊对辊技术(ロールツーロール技术)。辊对辊技术通过使卷绕呈卷筒状的长基体在辊之间输送而能够进行连续成膜,从而谋求作业的高效化。日本专利第4415584号(专利文献1)公开了利用辊对辊技术的成膜方法的一个例子。在该成膜方法中,在两个辊之间设置一个旋转滚筒,相对于输送基板的一个旋转滚筒,能够实现利用多个靶材进行的连续成膜,从而谋求作业的高效化。日本特开2010-236076号(专利文 ...
【技术保护点】
一种成膜方法,其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法,其特征在于,包括:a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面,沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤;b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;c)在第二成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤;d)在所述第二辊室,将使第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;e)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出的步骤;f)在第一成膜室,在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的第二膜材料上,将所述第一 ...
【技术特征摘要】
2011.07.29 JP 2011-166668;2012.07.12 JP 2012-15621.一种成膜方法,其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法,其特征在于,包括:a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面,沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤;b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;c)在第二成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤;d)在所述第二辊室,将使第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;e)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出的步骤;f)在第一成膜室,在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的第二膜材料上,将第一膜材料成膜的步骤;g)在所述第一辊室,将在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;h)将与所述第一面相反一侧的第二面作为被成膜面,沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第一辊室卷绕的所述基体的步骤;i)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤;j)在所述第二成膜室,在进行了脱气的所述基体的所述第二面将所述第二膜材料成膜的步骤;k)在所述第二辊室,使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤;l)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿所述第二方向从所述第二辊室输出的步骤;m)在所述第一成膜室,在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第二面上成膜的第二膜材料上,将所述第一膜材料成膜的步骤;n)在所述第一辊室,将在所述基体的所述第一面与所述第二面这两面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,在将所述第二面作为被成膜面,沿所述第一方向从所述第一辊室输出所述基体时,利用设置于所述第一辊室与邻接于所述第一辊室的邻接室之间的路径封锁机构,在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通,...
【专利技术属性】
技术研发人员:梨木智刚,坂田义昌,菅原英男,家仓健吉,滨田明,伊藤喜久,石桥邦昭,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。