双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体技术

提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出，对输出的基体脱气，在第一成膜室，在第一面将第一膜材料成膜，将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜，在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室，将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体，重复上述全部处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成膜方法，特别是涉及一种能够在长基体的双面进行真空成膜的双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体。
技术介绍
目前开发出了真空蒸镀法、溅射法、离子镀膜法等各种成膜方法。利用上述成膜方法获得的层积体被广泛用于制造例如，液晶显示器或有机EL显示器等显示装置、半导体装置等。层积体能够用作上述显示装置或半导体装置等的保护膜、光学薄膜、反射防止薄膜之类的各种功能性薄膜。近年来，液晶电视、移动电话、视频游戏机等使用上述功能性薄膜的设备装置的需要急速增长。伴随着需要的增长，急需开发出在短时间内大量生产功能性薄膜的技术。为 了应对上述要求，开发出了辊对辊技术(π — 一 π 技术)。辊对辊技术通过使卷绕呈卷筒状的长基体在辊之间输送而能够进行连续成膜，从而谋求作业的高效化。日本专利第4415584号(专利文献I)公开了利用辊对辊技术的成膜方法的一个例子。在该成膜方法中，在两个棍之间设置一个旋转滚筒，相对于输送基板的一个旋转滚筒，能够实现利用多个靶材进行的连续成膜，从而谋求作业的高效化。日本特开2010 - 236076号(专利文献2)、日本特开平07 — 098854号(专利文献3)公开了，利用该辊对辊技术，特别是能够在双面进行成膜的成膜方法。为了能够进行双面成膜，在此，使用两个旋转滚筒和配置于它们之间的一个卷绕辊，在从输出辊输出的卷筒体上，通过沿彼此相反方向旋转时的两个旋转滚筒进行成膜后，利用卷绕辊进行卷绕。专利文献I :(日本)专利4415584号专利文献2 :(日本)特开2010 - 236076号专利文献3 :(日本)特开平07 - 098854号功能性薄膜所要求的层结构根据每个使用上述功能性薄膜的装置等而不同，另夕卜，根据功能性薄膜所要求的性能等也不相同。因此，希望使用简单的装置结构，例如，希望开发出能够有效且经济地制造在双面实施真空成膜的层结构的成膜方法。但是，在专利文献2、专利文献3等公开的技术中，即使能够进行双面成膜，也没有明示在进行双面成膜时，具体如何实施脱气处理、退火处理、成膜处理之类的各种处理，另夕卜，也没有公开能够根据多样的层积体结构而灵活地实施上述处理的装置结构。因此，可能产生例如，在进行成膜后，未充分进行加热处理等，不能使成膜的膜材料完全晶体化之类的问题。另外，在上述现有装置中，靶材相对于旋转滚筒以规定的间隔被固定，为了对被阴极电极支承的靶材等进行维修而需要中断成膜作业，其结果是，也具有使作业效率恶化的问题等
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而做出的，目的在于提供一种成膜方法，其基于辊对辊技术，利用简单的装置结构，通过在适当的位置实施适当的加热处理等，特别是谋求最适当的双面真空成膜，能够有效且经济地制造在双面实施真空成膜的层积体。另外，其目的还在于提供一种能够在继续进行必要的成膜作业的同时，从规定的成膜室拆下例如需要维修的阴极电极而能够谋求使成膜作业高效化的成膜方法。为了实现上述目的，本专利技术是在长基体上连续地进行真空成膜的方法，其提供一种成膜方法，该成膜方法的特征在于，a)将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出的步骤；b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；c)在所述第一成膜室，在进行了脱气的所述基体的第一面将第一膜材料成膜的步骤；d)将使所述第一膜材料成膜的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向向所述第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的、与所述第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜的步骤；e)在设置于所述第一辊室与所述第二辊室之间的第三辊室，将在所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；f)沿所述第一方向从所述第一辊室输·出在所述第三辊室卷绕的所述基体的步骤；g)将输出的所述基体沿所述第一方向向所述第一成膜室引导，在所述第一成膜室，在向所述第一方向引导过程中的所述基体的第一面或第二面将第三膜材料成膜的步骤；h)将使所述第三膜材料成膜的所述基体沿所述第二方向向所述第二成膜室引导，在所述第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的所述第二或第一面将第四膜材料成膜的步骤；i)在所述第三辊室，将在所述基体的所述第一面的所述第一膜材料上层积有所述第三或第四膜材料，并在所述基体的所述第二面的所述第二膜材料上层积有第四或第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。根据该结构，在一个装置中，效率良好地获得在所述基体的所述第一面依次层积有所述第一膜材料与所述第三或第四膜材料，并在所述第二面依次层积有所述第二膜材料与所述第四或第三膜材料而得到的层积体。此外，所述第一及所述第二膜材料可以都是透明电极，所述第三及所述第四膜材料可以都是铜或铜合金，或者银或银合金那样的金属。另外，在上述成膜方法中，可以还具有对在所述基体的所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述基体的所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体实施退火处理的步骤。由此，能够谋求强化退火处理。而且，在上述成膜方法中，在所述第三辊室，将在所述基体的所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述基体的所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体进行卷绕后，利用设置于所述第三辊室与邻接于所述第三辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第三辊室与所述邻接室之间切断的状态下，在所述第三辊室取出所述基体。由此，能够在上述作业中，使第三辊室以外的室全部保持为真空。另外，在上述成膜方法中，沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第三辊室卷绕的所述基体时，利用设置于所述第一辊室与邻接于所述第一辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第一辊室与所述邻接室之间切断的状态下，将所述基体设置在所述第一辊室。由此，能够在上述作业中，使第一辊室以外的室全部保持为真空。另外，在上述成膜方法中，代替所述c)至e)的步骤，具有如下步骤c’)将进行了脱气的所述基体沿所述第一方向向第二成膜室引导，在所述第二成膜室，在沿所述第一方向引导过程中的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤；d’)在第二辊室，将使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出在所述第二辊室卷绕的所述基体的步骤；f’)在所述第一成膜室，于沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的所述第二膜材料上，将第三膜材料成膜的步骤；g’ )在所述第一辊室，将在所述第二膜材料上层积有所述第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。根据该结构，利用上述装置，因为能够在从第一辊室向所述第二辊室输送所述基体的第一路径中将第二膜材料成膜，在从第二辊室向第一辊室输送所述基体的返回的第二路径中将第三膜材料成膜，所以通过使基体在第一辊室与第二辊室之间往返，能够利用辊对辊方式连续地制造依次层积有第二膜材料和第三膜材料的层积体。另外，在上述成膜方法中，在所述第二成膜室，在沿所述第一方向输出的所述基体的所述第一面将所述第二膜材料成膜时，从所述第一成膜室拆下支承所述第一膜材料的靶材的所述第一成膜室的第一阴极电极。根据该结构，在第一成膜室进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法，其特征在于，包括：a）将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出的步骤；b）对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；c）在所述第一成膜室，在进行了脱气的所述基体的第一面将第一膜材料成膜的步骤；d）将使所述第一膜材料成膜的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向向所述第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的、与所述第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜的步骤；e）在设置于所述第一辊室与所述第二辊室之间的第三辊室，将在所述第一面使所述第一膜材料成膜且在所述第二面使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；f）沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第三辊室卷绕的所述基体的步骤；g）将输出的所述基体沿所述第一方向向所述第一成膜室引导，在所述第一成膜室，在向所述第一方向引导过程中的所述基体的第一面或第二面将第三膜材料成膜的步骤；h）将使所述第三膜材料成膜的所述基体沿所述第二方向向所述第二成膜室引导，在所述第二成膜室，在沿所述第二方向引导过程中的所述基体的所述第二或第一面将第四膜材料成膜的步骤；i）在所述第三辊室，将在所述基体的所述第一面的所述第一膜材料上层积有所述第三或第四膜材料，并在所述基体的所述第二面的所述第二膜材料上层积有第四或第三膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梨木智刚，坂田义昌，菅原英男，家仓健吉，滨田明，伊藤喜久，石桥邦昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：