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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统。本发明提出一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，通过在现有技术中反应腔室外接的低温泵上并联一个分子泵，以满足进行溅射工艺时，预抽真空阶段和工艺阶...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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