平面式半导体元件及其制作方法技术

一种平面式半导体元件及其制作方法，该平面式半导体元件包括：一由一晶圆所切割的半导体元件，其具有上表面、下表面及多个设于该上、下表面之间的侧面，上表面上具有多个引线区域；一覆盖于该半导体元件的绝缘结构，绝缘结构包括一成型于该上表面上的第一绝缘层、一成型于该下表面上的第二绝缘层及一成型于这些侧面上的第三绝缘层，引线区域裸露于该第一绝缘层；一对应地设于每一该引线区域上的导电焊垫；以及一分别设于半导体元件的两端的端电极，端电极导接于该导电焊垫。本发明专利技术的平面式半导体元件可被绝缘结构所完整包覆，故可有效提高元件的可靠度。此外，该平面式半导体元件可提供多个方向的焊接位置，故可提高焊接作业的效率。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤指一种平面式半导体元件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体制程技术能力不断向上提升，半导体芯片的功能日益强大，以致半导体芯片信号的传输量逐渐增加，芯片的脚数也随之增加；进而使封装技术必须随着技术的演进而不断提升。半导体封装提供集成电路保护、散热、及电路导通等功能，已知技术除高阶封装技术，如球栅阵列封装(Ball Grid Array, BGA)、覆晶封装(Flip-Chip, FC)、及多芯片模块(Multi Chip Module，MCM)，最常用的还是导线架封装方式，其主要通过黏晶(DieAttachment)、打线(Wired Bond)、封装(Molding)、及印字(Marking)等制程将元件进行封装。 传统采用导线架封装，利用黏晶、焊线、及封装制程等会衍生出相关问题，例如封装制程繁琐复杂且耗费时间，造成成本提闻等等。
技术实现思路
本专利技术的目的之一，在于提供一种平面式半导体元件及其制作方法，所制成的平面式半导体元件可被绝缘结构完整包覆，以提供该元件较佳的保护性；且所制成的平面式半导体元件在各个面向上形成端电极等具有导电性及可焊接性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有多个半导体元件，且所述晶圆的上表面上具有多个对应所述半导体元件的引线区域；进行一第一绝缘覆盖步骤，以于所述晶圆的上表面、下表面分别成型一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中所述引线区域裸露于所述第一绝缘层；在每一所述引线区域上成型一导电焊垫；进行一切割步骤，以切割出单一的半导体元件；进行一第二绝缘覆盖步骤，以在每一个切割后的半导体元件的侧面成型一第三绝缘层；以及在每一个切割后的半导体元件的两端分别成型一端电极，所述端电极导接于所述导电焊垫。

【技术特征摘要】
2011.07.27 TW 1001266261.一种平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步骤 提供一晶圆，所述晶圆上具有多个半导体元件，且所述晶圆的上表面上具有多个对应所述半导体元件的引线区域； 进行一第一绝缘覆盖步骤，以于所述晶圆的上表面、下表面分别成型一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中所述引线区域裸露于所述第一绝缘层； 在每一所述引线区域上成型一导电焊垫； 进行一切割步骤，以切割出单一的半导体元件； 进行一第二绝缘覆盖步骤，以在每一个切割后的半导体元件的侧面成型一第三绝缘层；以及 在每一个切割后的半导体元件的两端分别成型一端电极，所述端电极导接于所述导电焊垫。2.根据权利要求I所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述第一绝缘覆盖步骤的步骤中，所述第一绝缘层上具有多个对应所述引线区域的穿孔，所述引线区域通过所述穿孔裸露于所述第一绝缘层。3.根据权利要求I所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述切割步骤的步骤后，每一个切割后的半导体元件具有四个设于所述晶圆的上表面与下表面之间的所述侧面。4.根据权利要求3所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述第二绝缘覆盖步骤的步骤中将所述第三绝缘层覆盖于四个所述侧面。5.根据权利要求I所述的平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟伦，徐竹君，柯泓升，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：