多层式压敏电阻制造技术

本实用新型专利技术公开一种多层式压敏电阻。一种多层式压敏电阻，其包括：一多层式堆栈结构以及一外电极结构。多层式堆栈结构包括一绝缘载体、设置在绝缘载体内的多个第一内导电层以及设置在绝缘载体内的多个第二内导电层，且多个第一内导电层与多个第二内导电层交替排列。外电极结构部分地包覆多层式堆栈结构，外电极结构包括电性接触多个第一内导电层的一第一外电极层以及电性接触多个第二内导电层的一第二外电极层，且第一外电极层以及第二外电极层分别包覆多层式堆栈结构的一第一侧端部以及一第二侧端部。根据本实用新型专利技术的技术方案实现了一种改进的多层式压敏电阻。了一种改进的多层式压敏电阻。了一种改进的多层式压敏电阻。

【技术实现步骤摘要】
多层式压敏电阻


[0001]本技术涉及一种压敏电阻，特别是涉及一种多层式压敏电阻。

技术介绍

[0002]压敏电阻(Varistor)是一种电子组件，也称为Voltage Dependent Resistor(VDR)，其电阻会随着施加的电压而变化，它具有类似于二极管的非线性特性(非奥姆电流
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电压特性)。然而，与二极管相反，它在两个横向电流方向上具有相同的特性。传统上，压敏电阻实际上是通过连接两个整流器(例如反并联配置的氧化铜或者氧化锗整流器)来构造的。在低电压下，压敏电阻具有较高的电阻，该电阻会随着电压的升高而减小。现代的压敏电阻主要基于烧结的陶瓷金属氧化物材料，这些材料仅在微观尺度上表现出方向性。这种类型通常称为金属氧化物压敏电阻(MOV)。另外，压敏电阻可以用作电路中的控制或者补偿组件，以提供最佳工作条件或者防止过大的瞬态电压。当压敏电阻用来做为保护设备时，它们在触发时会将过高电压所产生的电流与敏感组件分流。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种多层式压敏电阻。
[0004]为了解决上述的技术问题，本技术所采用的其中一技术方案是提供一种多层式压敏电阻，其包括：一多层式堆栈结构，该多层式堆栈结构包括一绝缘载体、设置在绝缘载体内的多个第一内导电层以及设置在绝缘载体内的多个第二内导电层，且多个第一内导电层与多个第二内导电层交替排列；以及一外电极结构，该外电极结构部分地包覆多层式堆栈结构，外电极结构包括电性接触多个第一内导电层的一第一外电极层以及电性接触多个第二内导电层的一第二外电极层，且第一外电极层以及第二外电极层分别包覆多层式堆栈结构的一第一侧端部以及一第二侧端部。
[0005]根据本技术的一技术方案的一方面，绝缘载体包括一绝缘上盖、一绝缘下盖以及连接于绝缘上盖与绝缘下盖之间的一绝缘本体，该绝缘本体的周围具有一第一外表面、一第二外表面、一第三外表面以及一第四外表面，且多个第一内导电层以及多个第二内导电层交替排列在绝缘本体内。
[0006]根据本技术的一技术方案的一方面，每一第一内导电层具有从绝缘本体的第一外表面裸露的一第一前裸露端、面向绝缘本体的第二外表面的一第一后内埋端、面向绝缘本体的第三外表面的一第一左内埋端以及面向绝缘本体的第四外表面的一第一右内埋端。
[0007]根据本技术的一技术方案的一方面，第一前裸露端电性接触第一外电极层，第一后内埋端对应于第一前裸露端且被包覆在绝缘本体内，第一左内埋端连接于第一前裸露端与第一后内埋端之间且被包覆在绝缘本体内，且第一右内埋端连接于第一前裸露端与第一后内埋端之间且被包覆在绝缘本体内。
[0008]根据本技术的一技术方案的一方面，第二内导电层具有从绝缘本体的第二外表面裸露的一第二前裸露端、面向绝缘本体的第一外表面的一第二后内埋端、面向绝缘本体的第四外表面的一第二左内埋端以及面向绝缘本体的第三外表面的一第二右内埋端。
[0009]根据本技术的一技术方案的一方面，第二前裸露端电性接触第二外电极层，第二后内埋端对应于第二前裸露端且被包覆在绝缘本体内，第二左内埋端连接于第二前裸露端与第二后内埋端之间且被包覆在绝缘本体内，且第二右内埋端连接于第二前裸露端与第二后内埋端之间且被包覆在绝缘本体内。
[0010]根据本技术的一技术方案的一方面，所述绝缘载体符合下列的条件：G与T1的比值为1：0.3～1.0，G与T2的比值为1：0.3～1.0，D11与G的比值为1：0.3～1.0，D12与G的比值为1：0.3～1.0，D21与G的比值为1：0.3～1.0，且D22与G的比值为1：0.3～1.0；其中，T1为绝缘上盖的厚度，T2为绝缘下盖的厚度，G为彼此相邻的第一内导电层与第二内导电层之间的距离，D11为第一内导电层的第一左内埋端与绝缘本体的第三外表面之间的距离，D12为第一内导电层的第一右内埋端与绝缘本体的第四外表面之间的距离，D21为第二内导电层的第二左内埋端与绝缘本体的第四外表面之间的距离，D22为第二内导电层的第二右内埋端与绝缘本体的第三外表面之间的距离。
[0011]为了解决上述的技术问题，本技术所采用的另外一技术方案是提供一种多层式压敏电阻，其包括：一多层式堆栈结构，该多层式堆栈结构包括一绝缘载体、设置在绝缘载体内的多个第一内导电层以及设置在绝缘载体内的多个第二内导电层，且多个第一内导电层与多个第二内导电层交替排列；以及一外电极结构，该外电极结构部分地包覆多层式堆栈结构，外电极结构包括电性接触多个第一内导电层的一第一外电极层以及电性接触多个第二内导电层的一第二外电极层，且第一外电极层以及第二外电极层分别包覆多层式堆栈结构的一第一侧端部以及一第二侧端部；其中，绝缘载体包括一绝缘上盖、一绝缘下盖以及连接于绝缘上盖与绝缘下盖之间的一绝缘本体，且绝缘本体的周围具有一第一外表面、一第二外表面、一第三外表面以及一第四外表面；其中，绝缘载体符合下列的条件：G与T1的比值为1：0.3～1.0，G与T2的比值为1：0.3～1.0，D11与G的比值为1：0.3～1.0，D12与G的比值为1：0.3～1.0，D21与G的比值为1：0.3～1.0，且D22与G的比值为1：0.3～1.0；其中，T1为绝缘上盖的厚度，T2为绝缘下盖的厚度，G为彼此相邻的第一内导电层与第二内导电层之间的距离，D11为第一内导电层的一第一左内埋端与绝缘本体的第三外表面之间的距离，D12为第一内导电层的一第一右内埋端与绝缘本体的第四外表面之间的距离，D21为第二内导电层的一第二左内埋端与绝缘本体的第四外表面之间的距离，D22为第二内导电层的一第二右内埋端与绝缘本体的第三外表面之间的距离。
[0012]本技术的其中一有益效果在于，本技术所提供的一种多层式压敏电阻，其能通过“多层式堆栈结构包括一绝缘载体、设置在绝缘载体内的多个第一内导电层以及设置在绝缘载体内的多个第二内导电层，且多个第一内导电层与多个第二内导电层交替排列”以及“外电极结构部分地包覆多层式堆栈结构，外电极结构包括电性接触多个第一内导电层的一第一外电极层以及电性接触多个第二内导电层的一第二外电极层，且第一外电极层以及第二外电极层分别包覆多层式堆栈结构的一第一侧端部以及一第二侧端部”的技术方案，以得到多层式压敏电阻的产品。
[0013]本技术的另外一有益效果在于，本技术所提供的一种多层式压敏电阻，
其能通过“G与T1的比值为1：0.3～1.0”、“G与T2的比值为1：0.3～1.0”、“D11与G的比值为1：0.3～1.0”、“D12与G的比值为1：0.3～1.0”、“D21与G的比值为1：0.3～1.0”以及“D22与G的比值为1：0.3～1.0”的技术方案，以降低漏电流(leakage current)并且提升通流容量(即最大峰值电流值(maximum peak current))。
[0014]为使能进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层式压敏电阻，其特征在于，所述多层式压敏电阻包括：一多层式堆栈结构，所述多层式堆栈结构包括一绝缘载体、设置在所述绝缘载体内的多个第一内导电层以及设置在所述绝缘载体内的多个第二内导电层，且多个所述第一内导电层与多个所述第二内导电层交替排列；以及一外电极结构，所述外电极结构部分地包覆所述多层式堆栈结构，所述外电极结构包括电性接触多个所述第一内导电层的一第一外电极层以及电性接触多个所述第二内导电层的一第二外电极层，且所述第一外电极层以及所述第二外电极层分别包覆所述多层式堆栈结构的一第一侧端部以及一第二侧端部。2.根据权利要求1所述的多层式压敏电阻，其特征在于，所述绝缘载体包括一绝缘上盖、一绝缘下盖以及连接于所述绝缘上盖与所述绝缘下盖之间的一绝缘本体，所述绝缘本体的周围具有一第一外表面、一第二外表面、一第三外表面以及一第四外表面，且多个所述第一内导电层以及多个所述第二内导电层交替排列在所述绝缘本体内。3.根据权利要求2所述的多层式压敏电阻，其特征在于，每一所述第一内导电层具有从所述绝缘本体的所述第一外表面裸露的一第一前裸露端、面向所述绝缘本体的所述第二外表面的一第一后内埋端、面向所述绝缘本体的所述第三外表面的一第一左内埋端以及面向所述绝缘本体的所述第四外表面的一第一右内埋端。4.根据权利要求3所述的多层式压敏电阻，其特征在于，所述第一前裸露端电性接触所述第一外电极层，所述第一后内埋端对应于所述第一前裸露端且被包覆在所述绝缘本体内，所述第一左内埋端连接于所述第一前裸露端与所述第一后内埋端之间且被包覆在所述绝缘本体内，且所述第一右内埋端连接于所述第一前裸露端与所述第一后内埋端之间且被包覆在所述绝缘本体内。5.根据权利要求4所述的多层式压敏电阻，其特征在于，所述第二内导电层具有从所述绝缘本体的所述第二外表面裸露的一第二前裸露端、面向所述绝缘本体的所述第一外表面的一第二后内埋端、面向所述绝缘本体的所述第四外表面的一第二左内埋端以及面向所述绝缘本体的所述第三外表面的一第二右内埋端。6.根据权利要求5所述的多层式压敏电阻，其特征在于，所述第二前裸露端电性接触所述第二外电极层，所述第二后内埋端对应于所述第二前裸露端且被包覆在所述绝缘本体内，所述第二左内埋端连接于所述第二前裸露端与所述第二后内埋端之间且被包覆在所述绝缘本体内，且所述第二右内埋端连接于所述第二前裸露端与所述第二后内埋端之间且被包覆在所述绝缘本体内。7.根据权利要求6所述的多层式压敏电阻，其特征在于，所述绝缘载体符合下列的条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昌幸，廖三棨，叶秀伦，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：