蓝宝石单晶生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后将其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其包括：第一腔室（第一腔室的上面形成有插入口），其容纳氧化铝，氧化铝在其中熔融；第二腔室，其设置在第一腔室的上部，以与第一腔室的插入口接通；晶种杆（晶种杆的终端设置有晶种），其通过第二腔室下降至第一腔室内，或从第一腔室上升；以及腔室阻隔部，其设置在第二腔室的下端，开闭插入口，为了替换晶种，当晶种杆的终端上升并位于第二腔室的内部时，腔室阻隔部关闭插入口。上述蓝宝石单晶生长装置通过显著减少晶种替换的时间，提高生产性能，防止由反复冷却和再加热引起的变形和寿命减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蓝宝石单晶生长装置，尤其涉及一种能够减少晶种替换的工序时间的蓝宝石单晶生长装置。
技术介绍
蓝宝石是具有六方晶系结构的氧化铝(Al2O3)的单晶。蓝宝石单晶在发光二极管(LED)制造时用作基板。蓝宝石单晶制造方法有提拉法(czochralski method:以下简称 CZ 法)、火焰熔融法(verneuil method)、泡生法(kyropoulos method)、导模法(EFG 法，Edge-Defined Film-Fed Growth)、HEM 法(heat exchanger method,热交换法)等。其中，CZ法可实现单晶的大型化，容易调节温度梯度，从而能够生产高质量的单晶，并且在制造C面基板时能够防止浪费原料，因此是非常有效的方法。并且，近年来为了提高LED制造时的 生产性能并减少制造单价，基板的直径正在变大，而在这种趋势下利用CZ法的蓝宝石晶体生长同样具有很多优点。图I为示出了利用现有技术的CZ法的蓝宝石单晶生长装置10的图。如图I所示，位于由隔热材料构成的坩埚收容容器11的内部的坩埚12中填充有氧化铝，高频线圈14加热坩埚12。通过坩埚12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后使其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述蓝宝石单晶生长装置包括：第一腔室，其容纳氧化铝，所述氧化铝在其中熔融，所述第一腔室的上面形成有插入口；第二腔室，其设置在所述第一腔室的上部，以与所述第一腔室的插入口接通；晶种杆，其通过所述第二腔室下降至所述第一腔室内，或从所述第一腔室上升，所述晶种杆的终端设置有所述晶种；以及腔室阻隔部，其设置在所述第二腔室的下端，开闭所述插入口；为了替换所述晶种，当所述晶种杆的终端上升并位于所述第二腔室的内部时，所述腔室阻隔部关闭所述插入口。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭晚锡，金大渊，
申请(专利权)人：株式会社KCC，
类型：发明
国别省市：