直拉硅单晶二次加料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种直拉硅单晶二次加料装置，包括中空圆柱体料筒和设置在料筒内的推杆筒，所述的推杆筒内设置有下摆为圆锥体的推杆，所述的料筒底部设置有下料开关，下料开关由多瓣组成，合拢后拼合成一个圆环，所述的圆环的直径小于推杆的圆锥体下摆的圆形下沿的直径。本实用新型专利技术重新设计了下料口，其大小可以根据二次加料的硅料尺寸大小进行调节，在二次加料和连续生长过程中不会出现因硅料拥堵而无法下料的现象；该装置不仅限于二次加料和拉晶，也适用于多次加料和拉晶；该装置不仅限于直拉硅单晶生长，也适用于其他类似材料（如锗，砷化镓等）直拉单晶的生长。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及直拉硅单晶炉的设计及制造
，特别是一种直拉硅单晶二次加料装置。
技术介绍
单晶硅是制备晶体硅太阳电池的一种重要材料。直拉法是生长单晶硅最主要的方法之一，其过程包含加料，升温硅料熔化，拉晶，冷却，出晶。通常情况下，一次升温过后只能生长晶体一根，此后必须等到冷却后在新的坩埚中填料再次升温拉晶。这种技术造成了较大的能耗浪费，同时由于坩埚在冷却后破碎，这种技术每一次升温降温循环将必然消耗一个昂贵的石英坩埚。如果能在现有单晶炉上不经过降温过程实现直拉硅的连续生长，将会大大降低能耗和石英坩埚消耗，降低生产成本，提高生产效率。 专利“一种单晶硅热场二次加料装置”(专利号200820303350. 5)公开了这样一种装置，通过该装置可以在高温下进行二次加料，实现连续生长。但是该专利公开的装置在实际应用中有极大的缺陷，会经常出现硅料把装置下料口堵住而无法下料到坩埚的情况。其他专利中公开的二次加料连续生长装置与此类似，也有同样的问题。这个问题可以通过使用尺寸细小的硅料来改善，但是尺寸细小的硅料一般纯度较低，使用这样的硅料进行连续拉晶可能导致后续单晶生长中发生断棱等严重的后果。因此，二次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉硅单晶二次加料装置，包括中空圆柱体料筒和设置在料筒内的推杆筒，所述的推杆筒内设置有下摆为圆锥体的推杆，其特征在于：所述的料筒底部设置有下料开关，下料开关由多瓣组成，合拢后拼合成一个圆环，所述的圆环的直径小于推杆的圆锥体下摆的圆形下沿的直径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛巧军，刘富林，季凤，
申请(专利权)人：常州顺风光电材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：