【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种石墨热场保温装置。
技术介绍
切克劳斯基法即CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420°C，如果是在20寸开放式热场装置、投料量105kg，要维持这个温度，每小时需消耗IOOkw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，降低生产成本，直接关系到企业的生存大计。因此，人们在CZ直拉单晶法的加热装置上，也就是石墨热场上面做了诸多改进。效果最为明显的就是增加了热屏装置，传统的热屏装置一般为圆筒状或圆锥状，由原始的开放式热场改为封闭式热场，增加了热场的保温效果，降低热量的损失。其生产能耗由开放式热场的每小时IOOkw降低至75 70kw/h ;相对开放式热场,缩小了单晶生长条件下惰性气体的保护面积，使的保护面积更为集中化，惰性气体的使用量也降低了 209Γ30% ;改变晶体的纵向温度梯度，最大生长拉速提高了 0.2mm/min。但是，按照上述结构石墨热场使用效果还不理想，还有改进的空间，能量的利用率依然低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种增加热场绝热效果、提高能量利用率的石墨热场保温装置。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种石墨热场保温装置，包括加热器、底保温板、中轴、支撑环，所述的支撑环套在中轴外并设置在底保温板上，所述的加热器底部与底保温板之间形成腔体，所述的腔体内设有套在中轴外的固化碳毡块。所述的固化碳毡块设置在支撑环、环...
【技术保护点】
一种石墨热场保温装置，包括加热器（1）、底保温板（2）、中轴（3）、支撑环（4），所述的支撑环（4）套在中轴（3）外并设置在底保温板（2）上，所述的加热器（1）底部与底保温板（2）之间形成腔体（6），其特征在于：所述的腔体（6）内设有套在中轴（3）外的固化碳毡块（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙平川，王贤福，杨江华，韩冰，计冰雨，
申请(专利权)人：芜湖昊阳光能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。