一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本实用新型专利技术的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。
技术介绍
制造硅单晶主要采用直拉法(Czochralski法)，硅单晶的生长在直拉硅单晶炉内完成。使用现在常用的直拉硅单晶炉生长硅单晶时为了降低能耗、提高单炉产量和质量普遍使用再加料技术，具体的操作方法是先将所用坩埚内装满块状或颗粒状多晶硅，再经抽真空、多晶硅融化，熔体温度稳定、晶种和熔体熔接、细颈生长、肩部生长、等径生长、收尾等步骤生长出第一根硅单晶，坩埚内剩余约1/3的硅熔体，硅单晶以设定的拉速被提拉进入副炉室的同时被冷却到200-300°C，在硅单晶上升冷却过程中，从设置在炉盖一侧的加料仓中将颗粒多晶硅料补充到石英坩埚内，开始第二个多晶硅融化过程，当硅单晶的温度冷却到设定值后，取出单晶，当加入的多晶硅完全融化后，开始第二根硅单晶的生长过程。 重复前面的过程可以使用一个石英坩埚生长5-10根硅单晶。现在常用的直拉硅单晶炉在使用时，多晶硅的加入、多晶硅的熔化、硅单晶的生长，是按先后顺序在同一个坩埚内完成的。现在已经出现了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶炉，晶体生长在石英坩埚内完成，多晶硅的熔化在专设的熔化区内完成，在硅单晶生长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置,其特征在于：从上到下顺次设有仓盖（18）、仓体（19）、翻板阀体（30），仓盖（18）上方从左到右顺次设有挡料球升降组件、导料管升降组件、加料口（17），挡料球升降组件从上到下顺次设有电机（9）、减速机（10）、固定架（11）、导向滑杆（13）、丝杆（12）、波纹管提升件（14）、波纹管（15）、提升杆（16），电机（9）、减速机（10）、导向滑杆（13）、丝杆（12）安装在固定架（11）上，波纹管提升件（14）通过内螺纹连接在丝杆（12）上并可沿导向滑杆（13）上下滑动，波纹管（15）、提升杆（16）安装在波纹管提升件（14）的下方，导料管升降组件从...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾泽斌，
申请(专利权)人：曾泽斌，
类型：实用新型
国别省市：