一种石墨热场的导流筒结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。采用上述结构，本实用新型专利技术具有以下优点：1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石墨热场
，具体涉及一种石墨热场的导流筒结构。
技术介绍
切克劳斯基法即CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420°C，如果是在20寸开放式热场装置、投料量105kg，要维持这个温度，每小时需消耗IOOkw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，直接关系到企业的生存大计。传统的石墨热场的热屏外的导流筒上没有反射装置，热辐射反射率低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种热辐射反射率高的石墨热场的导流筒结构。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。所述的热辐射反射层为钥层。所述的钥层厚度为O. 5-0. 6mm。本技术采用上述结构，具有以下优点1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明；图I为本技术的结构示意图；在图I在，I、导流筒本体；2、热辐射反射层。具体实施方式如图I所示一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，导流筒本体I的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层2。热辐射反射层2为钥层。钥层可为钥片，其厚度为O.5-0. 6mm。钥片作为反射层，耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长，钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。该石墨热场耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长。钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果，以上技术方案的应用使20寸传统封闭式热场维持1420°C的拉制条件需要每小时消耗电能75 70KW降低至5(T45KW/h，节能超过35% ；相对原始的开放式热场节能超过55%。同时进一步改变了单晶生长时晶体的纵向温度梯度，相对传统的封闭式热场，拉速增加O. 15mm/min。极大提高了设备生产效率，降低生产成本。 上面结合附图对本技术进行了示例性描述，显然本技术具体实现并不受 上述方式的限制，只要采用了本技术的技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于所述的导流筒本体(I)的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层(2)。2.根据权利要求I所述的一种石墨热场的导流筒结构，其特征在于所述的热辐射反射层(2)为钥层。3.根据权利要求I所述的一种石墨热场的导流筒结构，其特征在于所述的钥层厚度为 O. 5-0. 6mm。专利摘要本技术公开了一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。采用上述结构，本技术具有以下优点1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。文档编号C30B29/06GK202671711SQ20122029663公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月21日 优先权日2012年6月21日专利技术者孙平川, 杨江华, 王贤福, 韩冰, 计冰雨 申请人:芜湖昊阳光能股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于：所述的导流筒本体（1）的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙平川，杨江华，王贤福，韩冰，计冰雨，
申请(专利权)人：芜湖昊阳光能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：