一种石墨热场的导流筒结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。采用上述结构，本实用新型专利技术具有以下优点：1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石墨热场
，具体涉及一种石墨热场的导流筒结构。
技术介绍
切克劳斯基法即CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420°C，如果是在20寸开放式热场装置、投料量105kg，要维持这个温度，每小时需消耗IOOkw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，直接关系到企业的生存大计。传统的石墨热场的热屏外的导流筒上没有反射装置，热辐射反射率低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种热辐射反射率高的石墨热场的导流筒结构。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。所述的热辐射反射层为钥层。所述的钥层厚度为O. 5-0. 6mm。本技术采用上述结构，具有以下优点1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。以下结合附图和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于：所述的导流筒本体（1）的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙平川，杨江华，王贤福，韩冰，计冰雨，
申请(专利权)人：芜湖昊阳光能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：