一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈，包括线圈盘体，位于线圈盘体的线圈中心外围设置线圈台阶，同时，所述线圈盘体外围环绕设置环形线圈水路，此线圈盘体外径设置为70mm-190mm。本实用新型专利技术有益效果为：产品单匝加热线圈内径小，可形成腰细、距离短的熔区，使之更稳定；在生产中加热后产生磁场应力，和炉内生长条件形成一个非动态平衡条件，从而有利于循环生产；尤其对于大直径单晶生长可提高成功率，利于降低功耗的损失，提高了功率利用率；可依据不同直径的原料采用不同的线圈来改变生长时产生的磁场，对于原料化料的形状和旋转的角度改变较为理想；有利于多晶原料消除硅刺的现象，成晶更稳定。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

—种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈
本技术涉及硅制备工艺设备，尤其涉及一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈。
技术介绍
在硅制备
，所采用悬浮区熔法中的线圈用途主要为FZ法(区熔法)利用铜线圈将多晶硅圆棒的料局部融化拉制，纯度较高。区熔法为将一多晶硅棒通过环带状加热器，以产生局部融化现象，再控制凝固过程而生长单晶棒，在生长单晶时，使圆柱形硅棒固定于垂直方向旋转，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转，然后将在多晶棒与籽晶间仅靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动，将其转换成单晶。但对于目前同类装置，很多因线圈结构与局部尺寸不合理受限，使其不利于大直径单晶的生长成功率，特别是对于多晶原料的直径不同和不规则运动的形状效果不明显，存在着硅刺现象，成晶不稳定。因此，针对以上方面，需要对现有技术进行合理的改进。
技术实现思路
针对以上缺陷，本技术提供一种有利于提高成晶率、降低功耗损失、可消除硅刺现象、利于散热、成晶更稳定的用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈，以解决现有技术的诸多不足。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈，包括线圈盘体(5)，其特征在于：位于线圈盘体(5)的线圈中心(2)外围设置线圈台阶(3)，同时，所述线圈盘体(5)外围环绕设置环形线圈水路(4)，此线圈盘体(5)外径设置为70mm？190mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑，
申请(专利权)人：刘剑，
类型：实用新型
国别省市：