【技术实现步骤摘要】
本技术涉及CZ直拉单晶法加热装置，特别涉及一种石墨热场的炉底保温装置。
技术介绍
切克劳斯基法及CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化， 并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420°C，如果是在20寸开放式热场装置、投料量90kg，要维持这个温度，每小时需消耗120kw左右的电能。目前世界能源紧张， 能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，降低生产成本，直接关系到企业的生存大计。因此，人们在CZ直拉单晶法的加热装置上，也就是石墨热场上面做了诸多改进。 效果最为明显的就是增加了热屏装置，传统的热屏装置一般为圆筒状或圆锥状，由原始的开放式热场改为封闭式热场，增加了热场的保温效果，降低热量的损失。其生产能耗由开放式热场的每小时120kw降低至70 75kw/h ；相对开放式热场，缩小了单晶生长条件下惰性气体的保护面积，使的保护面积更为集中化，惰性气体的使用量也降低了 20% 30%;改变晶体的纵向温度梯度，最大生长拉速提高了 0. 2mm/min。按照上述结构石墨热场结构如图2 所示，但是其使用效果还不理想，热场绝热效果差，能量的利用率还是较低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种增加热场绝热效果、提高能量利用率的石墨热场的炉底保温装置。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是一种石墨热场的炉底保温装置， 包括加热器、底保温板、中轴、支撑环、环状支撑片，所述的支撑环套在中轴外并设置在底保温板上，所述的环状支撑片设置在支...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨热场的炉底保温装置，包括加热器(1)、底保温板O)、中轴(3)、支撑环 G)、环状支撑片(5)，所述的支撑环⑷套在中轴(3)外并设置在底保温板(2)上，所述的环状支撑片( 设置在支撑环(4)上，所述的加热器(1)底部与底保温板( 之间形成腔体(6)，其特征在于所述的腔体(6)内设有两块套在中轴C3)外的保温板，所述的两块保温板之间设有间隙，间隙中设有填充碳毡(7)。2.根据权利要求1所述的一种石墨热场的炉底保温装置，其特征在于所述的填充碳毡(7)呈环状套在...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙平川，韩冰，王贤福，杨江华，
申请(专利权)人：芜湖昊阳光能股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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