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本发明公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后将其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其包括：第一腔室（第一腔室的上面形成有插入口），其容纳氧化铝，氧化铝在其中熔融；第二腔室，其设置在第一腔室的上部，以与第一腔...
该专利属于株式会社KCC所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社KCC授权不得商用。

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