一种双向平动机构及区熔单晶炉制造技术

本发明专利技术涉及区熔单晶硅技术领域，公开了一种双向平动机构，包括平动下板，固定于区熔单晶炉的上炉室；平动中板，与平动下板滑动装配；平动上板，与区熔单晶炉的上传动固定连接，且与平动中板滑动装配；驱动平动中板滑动的第一驱动装置，与平动下板相对固定；驱动平动上板滑动的第二驱动装置，与平动中板相对固定；平动中板相对平动下板的滑动方向与平动上板相对平动中板的滑动方向相互交叉；平动上板、平动中板和平动下板均具有贯穿其厚度方向的通孔。具有上述双向平动机构的区熔单晶炉，其上传动的上轴可以实现多个方向上的运动且可以自动对中，提高拉制单晶硅的成品率和气相掺杂的端面均匀性，保证晶体的高品质。本发明专利技术还提供了一种区熔单晶炉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及区熔单晶硅生长设备
，特别涉及一种双向平动机构及区熔单晶炉。
技术介绍
区熔单晶硅在被应用到微波通讯、雷达、导航、测控、医学、高功率电站等领域之前，都需要经过掺杂，调整晶体内部的电阻率。目前使用的掺杂技术主要为中子嬗变掺杂和气相掺杂。中子嬗变掺杂的准确率高，但是掺杂是一个核反应过程，还需要消除放射性处理及热处理，增加工序的同时提高了区熔硅单晶的成本。另外的一种掺杂方法是气相掺杂，直接在晶体生长的过程中将掺杂剂通过保护气体掺杂到晶体内部。但是，目前气相掺杂电阻率的端面均一性不是特别好，主要原因之一是受限于工艺设备。现有技术的区熔单晶炉中，上传动的上轴只可以沿前后方向进行往复运动，或者只能沿左右方向进行往复运动，而不能同时实现前后左右四个方向的运动，因此搅拌熔区不充分，气相掺杂的端面均匀性很难提高，晶体的高品质难以保证。另外，在拉制大直径硅单晶时，需要保证原料多晶硅棒和加热线圈一直保持同心，传统的机构中，只有一个方向可以自动调整，另一个方向必需要在停炉时手动调整，操作很不方便。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于区熔单晶炉的双向平动机构，能够实现区熔单晶炉上传动中的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于区熔单晶炉的双向平动机构，其特征在于，包括：平动下板，固定于所述区熔单晶炉的上炉室；平动中板，与所述平动下板滑动装配；平动上板，与所述区熔单晶炉的上传动固定连接，且与所述平动中板滑动装配；驱动所述平动中板滑动的第一驱动装置，与所述平动下板相对固定；驱动所述平动上板滑动的第二驱动装置，与所述平动中板相对固定；所述平动中板相对所述平动下板的滑动方向与所述平动上板相对所述平动中板的滑动方向相互交叉；所述平动上板、所述平动中板和所述平动下板均具有贯穿其厚度方向的通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁静，张继宏，徐振斌，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：