【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备
，尤其涉及一种区熔炉门板锁紧机构及区熔炉。
技术介绍
立式悬浮区熔炉是在真空或惰性气体环境下利用悬浮区熔技术在悬浮区熔区对半导体材料进行提纯和单晶生长的设备，通过计算机实现区熔单晶生长的半自动控制，用于生产无污染、高电阻、高寿命、高纯度的半导体材料。 传统区熔炉门板的锁紧机构一般都采用多组螺钉锁紧固定板从而锁紧门板的方式，所以需要工人用扳手操作，门板的开启和闭合通常需要几个工人同时花费几分钟操作，开启锁紧非常繁琐，费时费力，效率低下，自动化程度差，影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种区熔炉门板锁紧机构及区熔炉，用来解决现有锁紧机构开启锁紧费时费力、自动化程度差的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种区熔炉门板锁紧机构，用于实现区熔炉门板的锁紧与开启，所述门板的两相对侧分别设有与所述门板的边缘通过斜面配合的压紧块，所述压紧块固定连接有推杆，所述推杆连接有驱动机构，所述驱动机构驱动所述推杆往复运动以压紧或打开所述门板。优选地，所述斜面与所述门板所在的平面的夹角为10-25度。优选地，所述推杆往...
【技术保护点】
一种区熔炉门板锁紧机构，用于实现区熔炉门板的锁紧与开启，其特征在于，所述门板的两相对侧分别设有与所述门板的边缘通过斜面配合的压紧块，所述压紧块固定连接有推杆，所述推杆连接有驱动机构，所述驱动机构驱动所述推杆往复运动以锁紧或打开所述门板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁静，李岩，王军，张继宏，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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