一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚制造技术

一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明专利技术涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明专利技术小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。本发明专利技术通过改善液面以及等温线的形状，避免了液面W型和蘑菇状带来的缺点，应用该小角坩埚最终生长出优质蓝宝石单晶，尺寸达到Φ(260-300)×150-200mm，晶体不开裂，完整性好，提高制备蓝宝石晶体的质量和完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚。
技术介绍
目前蓝宝石单晶的生长技术主要有直拉法、泡生法及热交换法。热交换法是目前最为成熟的生长大尺寸蓝宝石单晶的技术之一，由于其生长方向沿反重力方向，固液界面有较强的排除杂质及气泡的能力，所以晶体通透，无散射点；晶体生长一直在熔体以下，晶体中的温度梯度较小，所以晶体中的位错密度较低，晶体生长过程稳定。热交换法生长蓝宝石晶体过程中，热场是影响晶体生长质量至关重要的因素，而坩埚又是热场中的关键因素之一，在蓝宝石晶体生长过程中，坩埚始终与原料熔体接触，因而坩埚的材质、形状、厚度等物性参数、几何特征的选取与设计成为改进晶体质量的重要研究方向。坩埚的设计在一定程度上影响着晶体生长过程的固液界面以及温度梯度，选取适当的坩埚参数成为一种有效改善晶体质量的途径。目前蓝宝石晶体炉中坩埚多采用锥形圆桶结构坩埚或者圆桶平底坩埚，且采用厚度为1～15mm的高纯钨或钼材料，做成一定形状尺寸的容器，并安装在热场内部，在一定的温度、压力条件下完成加热、原料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种C‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，其特征在于该C‑向生长蓝宝石单晶用小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的锥角为145°～160°。

【技术特征摘要】
1.一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，其特征在于该C-向生长蓝宝石单晶用小角
坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，坩埚底呈锥形，坩埚底纵切面的
锥角为145°～160°。
2.根据权利要求1所述的一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，其特征在于C-向生
长蓝宝石单晶用小角坩埚的材质为金属钨、金属钼或金属铱。
3.根据权利要求1所述的一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，其特征在于坩埚壁
的厚度为8.5～11毫米。
4.根据权利要求3所述的一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，其特征在于坩埚壁
的厚度为9...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽丽，宋爱利，赵丹洋，吕铁铮，张航宇，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23