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一种C-向生长蓝宝石单晶用小角坩埚，本发明涉及一种用于生长蓝宝石单晶的坩埚，它为了解决现有生长蓝宝石单晶用坩埚产生的W型界面以及蘑菇状界面引发的晶体开裂以及易形成多晶生长的问题。本发明小角坩埚包括坩埚壁和坩埚底，坩埚壁的厚度为8～12毫米，...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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