【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及。
技术介绍
在晶体硅铸锭生产中，氮化硅涂层起到隔绝硅熔体和熔融石英坩埚，从而起到阻止坩埚本体内的杂质向硅料中的扩散并污染硅料，同时保证硅锭与坩埚不发生粘连从而实现顺利脱模的重要作用，因而在晶体硅铸锭过程中氮化硅涂层必不可少。对于晶体硅铸锭而言，氮化硅涂层不同区域所处环境不同，如图I所示，其中硅液线位置为固、液、气三相交界区，此处硅熔体与氮化硅涂层的基体，熔融石英坩埚的反应相对最为强烈，同时此处的氮化硅涂层还受到硅液体波动的侵蚀，并且在硅晶体生长的过程中硅液线逐渐上升，对氮化硅涂层产生一定的物理冲击，因而此处的氮化硅涂层最易剥落， 失效。其中最重要的影响因素为硅熔体与熔融石英坩埚的反应程度，这一反应与此处氮化硅涂层的致密度存在相互影响的关系。因而如何增强这一区域氮化硅涂层的致密度是解决粘埚问题的关键之一。对于常规铸锭通常采用的喷涂烧结法制备氮化硅涂层而言，其弊端实现而易见的在喷涂操作过程中，相对一部分氮化硅粉随排风一起流失，既造成氮化硅粉的浪费又造成环境的污染，而1100°c左右的烧结温度需要大量电能及运行时间，因而亟待改...
【技术保护点】
一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄新明，尹长浩，周海萍，钟根香，
申请(专利权)人：东海晶澳太阳能科技有限公司，南京工业大学，
类型：发明
国别省市：
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