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本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法,采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后,对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理,并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层,最后将氮化硅涂层进行低温烘烤...该专利属于东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学授权不得商用。
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本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法,采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后,对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理,并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层,最后将氮化硅涂层进行低温烘烤...