一种用于生长准单晶的热交换台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于生长准单晶的热交换台，其特征是：包括一平台，平台底部中心设有一凸台，平台的底部在凸台的周围固定设有保温板。与现有技术相比，本实用新型专利技术有以下有益效果：热交换台设有凸台，其底部在凸台的四周固定有大面积保温材料，硅料在熔化时，底部中心的散热速度要远远大于四周部分的散热速度，使得熔化界面呈球冠状分布，这样就能有效的保护中心放置的单块单晶籽晶不熔化，长晶时以未熔化的单晶籽晶为形核点生长，从而生产出高质量的准单晶。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种热交换台，具体涉及到一种用于生长准单晶的热交换台。
技术介绍
在目前的晶体硅铸锭技术中，主要有普通多晶铸锭、高效多晶铸锭以及准单晶铸锭。随着铸锭技术的不断发展，普通多晶铸锭已逐渐被淘汰，但是高效多晶铸锭技术本身也存在瓶颈，效率很难有大幅度的提升，而准单晶铸锭则有很大的提升空间。准单晶铸锭在装料时候必须在坩埚底部铺满单晶籽晶，在熔化时保证籽晶不完全熔化，以作为后期生长的形核中心，从而生长出准单晶。由于单晶本身尺寸较小(由于工艺原因，目前市场上的主流单晶尺寸最大为230mm左右)，而铸锭用的坩埚尺寸要大于840mm，若要将单晶籽晶铺满整个坩埚底部，必须由若干单晶籽晶拼接在一起。而大量的实验数据表面，由于硅液渗透、晶格匹配、热应力等因素会导致籽晶接缝处产生大量的位错，随着晶体的生长，位错不断的增殖，从而大大影响硅锭的质量。公开号为CN103757689A的专利文献公开了一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法，通过热场控制利用一块单晶硅籽晶来制备铸造单晶硅。这样就降低了单晶硅籽晶制备和材料成本，同时由于没有单晶硅籽晶间缝隙的影响，可大幅降低硅锭位错密度，从而提高硅锭的质量。在实际操作中如何保留放置的单晶硅籽晶不被熔化是一个难点，而且单晶硅籽晶不熔化是生产出高质量准单晶的保证，但是在目前公开的专利及技术中也没有关于此方面的内容。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于生长准单晶的热交换台，能有效的保护中心放置的单块单晶籽晶不熔化，长晶时以未熔化的单晶籽晶为形核点生长，从而生产出高质量的准单晶。解决上述技术问题，本技术采取以下技术方案予以实现：一种用于生长准单晶的热交换台，其特征是：包括一平台，平台底部中心设有一凸台，平台的底部在凸台的周围固定设有保温板。作为本技术的一种实施方式，所述的平台由石墨制成，所述的保温板由导热系数低于石墨的材料制成。作为本技术的另一种实施方式，所述的平台和凸台为方形体、且横截面为正方形。进一步地，所述凸台的宽度为平台宽度的20％～40％、高度为平台高度的20％～50％。再进一步地，所述保温板的厚度大于或等于凸台的高度。作为本技术的一种实施方式，所述保温板的数量为4块，均匀分布在平台的底部、凸台的周围。进一步地，所述的保温板上开有若干个通孔、平台底部开有与通孔对应的螺纹孔，平台与保温板通过螺栓固定连接在一起。作为本技术的一种实施方式，所述的螺栓为由石墨制成的螺栓。与现有技术相比，本技术有以下有益效果：热交换台设有凸台，其底部在凸台的四周固定有大面积保温材料，硅料在熔化时，底部中心的散热速度要远远大于四周部分的散热速度，使得熔化界面呈球冠状分布，这样就能有效的保护中心放置的单块单晶籽晶不熔化，长晶时以未熔化的单晶籽晶为形核点生长，从而生产出高质量的准单晶。附图说明图1是本技术的立体示意图(底部朝上)；图2是本技术平台的立体示意图(底部朝上)；图3是本技术保温板的立体示意图。图中：1-平台，2-凸台，3-保温板，4-通孔，5-螺纹孔。具体实施方式下面结合附图用实施例对本技术作进一步说明。如图1至3所示的用于生长准单晶的热交换台，包括一由石墨制成的平台1，平台底部中心设有一凸台2，其中平台1和凸台2为方形体、且横截面为正方形，所述凸台2的宽度为平台宽度的20％～40％、高度为平台高度的20％～50％；平台1的底部在凸台2的周围固定设有4块保温板3，保温板3由导热系数低于石墨的材料制成，保温板3的厚度大于或等于凸台的高度；所述的保温板3上开有若干个通孔4、平台底部开有与通孔对应的螺纹孔5，平台与保温板通过由石墨制成的螺栓固定连接在一起。实施例一在GT450多晶炉中，热交换台的平台1的尺寸为875mm×875mm，平台1底部中心的凸台2的尺寸为260mm×260mm，用石墨螺栓将4块保温板3固定在热交换台的平台1底部、凸台2的周围，保温板3的尺寸为500mm×500mm。实施例二在晶运通800多晶炉中，热交换台的平台1的尺寸为1040mm×1040mm，平台1底部中
心的凸台2的尺寸为300mm×300mm，用石墨螺栓将4块保温板3固定在热交换台的平台1底部、凸台2的周围，保温板3的尺寸为750mm×750mm。热交换台设有凸台，其底部在凸台的四周固定有大面积保温材料，硅料在熔化时，底部中心凸台处的散热速度要远远大于四周部分的散热速度，使得熔化界面呈球冠状分布，这样就能有效的保护中心放置的单块单晶籽晶不熔化，使得硅料熔化时保留中间很小一部分籽晶的要求得以实现，从而生长出高质量的准单晶。以上所述实施例仅表达了本技术的部分实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生长准单晶的热交换台，其特征是：包括一平台，平台底部中心设有一凸台，平台的底部在凸台的周围固定设有保温板。

【技术特征摘要】
1.一种用于生长准单晶的热交换台，其特征是：包括一平台，平台底部中心设有一凸台，平台的底部在凸台的周围固定设有保温板。2.根据权利要求1所述的用于生长准单晶的热交换台，其特征是：所述的平台由石墨制成，所述的保温板由导热系数低于石墨的材料制成。3.根据权利要求1所述的用于生长准单晶的热交换台，其特征是：所述的平台和凸台为方形体、且横截面为正方形。4.根据权利要求3所述的用于生长准单晶的热交换台，其特征是：所述凸台的宽度为平台宽度的20％～40％、高度为平台高度的20％～50...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新明，周绪成，钟根香，张兆玉，张翔，
申请(专利权)人：东海晶澳太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32