一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括带盖的石墨坩埚，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接。本发明专利技术的生长装置，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，使用时中心旋转杆的转速为1-60转/分钟，克服了螺旋状感应线圈和保温导致的非中心对称的温场；构建了中心对称温场，并使物质传输呈现中心轴对称性，使生长得到的晶体具有中心对称性，边缘各处厚度相等，提高了晶体材料的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于晶体生长设备

技术介绍
SiC晶体与诸多其他半导体单晶材料相比，其具有硬度高(仅次于金刚石)、热导率高(4.9W/cm.1()、热膨胀系数低(3.1-4.5\10-6/10、禁带宽度大(2.40-3.266￥)、饱和漂移速度高(2.0-2.5乂107011/8)，临界击穿场强大(2?3\106￥/011)、化学稳定性高、抗辐射能力强等优异性能。这些优异的性能使SiC晶体在高温、高压、强辐射的工作环境下具有广阔的应用前景，并对未来电子信息产业技术的发展产生重要影响。物理气相传输法(Physical Vapor Transport-PVT)是目前主流生长SiC晶体的方法，即将SiC晶片贴在石墨坩祸盖上或顶端用作籽晶，石墨坩祸内装有作为生长原料的SiC粉末，生长温度控制在2273K到2773K之间，生长原料分解成气相组分后在石墨坩祸内部轴向温度梯度的驱动下输运到籽晶处结晶生长SiC晶体。目前，传统的SiC晶体生长系统常用的加热方法是中频感应加热，整个生长过程中将石墨坩祸外围缠绕好保温材料后放置于感应线圈中央，线圈通交流电后产生交变磁场，石墨坩祸在交变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括加热装置、真空生长腔、带盖的石墨坩埚，其特征在于，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接，旋转托盘包括旋转盘以及与旋转盘固定连接的旋转柄，旋转盘的顶部与石墨坩埚底端连接，旋转柄的底端与中心旋转杆连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，彭燕，陈秀芳，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37