【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种PVT法制备单晶的单晶炉，特别涉及一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉。
技术介绍
采用PVT法制备单晶的过程中，将生长原料放置于高温升华区，原料受热后以气态形式沿温度梯度向低温区输运，并在温度较低的籽晶表面进行凝华生长， PVT法生长单晶过程是一个物质传输过程，通过调节单晶炉温场分布、生长气压、载气流量、以及流程控制结构等工艺参数，可以制备出高质量单晶材料，对于传统PVT法制备单晶的过程中，难以控制载气气流的均匀性，从而使气态原料在传输过程中形成紊流等不稳定现象，影响晶体生长表面环境稳定性，导致晶体生长工艺重复性差，并且影响晶体质量，晶体成品率降低。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的问题，本专利技术提供一种用于PVT法制备单晶的载气流场的控制方法，即在籽晶与原料区域中部加入一个石英过滤器，这样可以约束载气气流，改善气流流场的无序状态，从而有利于高质量单晶的PVT法生长，具体技术方案是，一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，包括生长管，其特征在于：在生长管内籽晶与原料区域的温区中间加入一个石英过滤网，石英过滤网为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网与生长管紧密贴合，石英过滤网长度为5mm~30mm，内有密排、贯通性曲折通道，通道最大口径在0.5mm~3mm之间。本专利技术的有益效果是实现了对载气气流均匀性的控制，改善了晶体生长表面环境稳定性，有利于提高晶体生长工艺重复性和晶体生长质量，可以显著提高晶体成品率。附图说明图1是本专利技术的生长管的结构示意图。<...
【技术保护点】
一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，包括生长管，其特征在于：在生长管内籽晶（1）与原料（2）区域的温区中间加入一个石英过滤网（3），石英过滤网（3）为石英制品，直径与生长管内径相同，石英过滤网（3）与生长管紧密贴合，石英过滤网（3）长度为5~30mm，内有密排、贯通性曲折通道（3‑1），通道（3‑1）口径在0.5~3mm之间。
【技术特征摘要】
1.一种PVT法制备单晶用可控制载气流场的单晶炉，包括生长管，其特征在于：在生长管内籽晶（1）与原料（2）区域的温区中间加入一个石英过滤网（3），石英过滤网（3）为石英制品，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐永宽，程红娟，张颖武，司华青，练小正，李璐杰，霍小青，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。