【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有低位错密度的S i C晶体和从晶体切割的S i C晶片 相关专利申请 本专利申请要求2013年10月18日提交的美国专利申请No. 14/058, 167和2013 年2月5日提交的美国临时专利申请No. 61/761，171的优先权权益。
技术介绍
1.抟术领域 所公开的专利技术涉及碳化硅（Sic)晶体和晶片的制造。 2.相关抟术 碳化硅SiC因其宽带隙特性以及极高硬度、高导热性和化学惰性特性，是熟悉材 料科学、电子学和物理学的技术人员所公认有利的晶体半导体材料。这些特性使SiC成 为对于制造功率半导体器件极具吸引力的半导体，使得与由更常见材料如硅制成的器件相 比，功率密度和性能得以增强。 最常见形式的SiC由原子的立方或六方排列组成。Si和C层的堆叠可呈现多种形 式，称为多型体。碳化硅晶体的类型由表示堆叠序列中的重复单元数的数字加上代表晶形 的字母来表示。例如，3C-SiC多型体是指3个重复单元和立方（C)晶格，而4H-SiC多型体 是指4个重复单元和六方（H)晶格。 不同的碳化硅多型体在材料特性方面有一些差别，最明显的是电特性。4H-SiC多...
【技术保护点】
一种通过气相运输到晶种上来形成SiC晶体的方法，所述方法包括：a.将硅和碳原子源置于石墨容器中，其中所述硅和碳原子源供运输到所述晶种以生长所述SiC晶体；b.将所述晶种置于所述石墨容器中，并将所述晶种支撑在所述石墨容器内的搁架上而不使所述晶种物理附连于所述石墨容器的任何部分；c.将盖子置于所述容器上使得所述盖子不接触所述晶种，并且将所述石墨容器置于真空炉中；d.排空所述炉并建立惰性气体流，并且控制压力在＞79kPa(＞600托)的值处；e.将所述炉加热到2,000℃至约2,500℃的温度；f.将所述炉排空到1.3kPa至约13kPa(10托至约100托)的压力；g.将所述压...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗曼·德拉赫夫，达伦·汉森，M·罗伯达，爱德华·桑切斯，
申请(专利权)人：道康宁公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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