一种多晶硅铸锭坩埚防护装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括由竖板两两相连合围而成的护板及分别设置在所述护板上、下端的盖板和底板，所述盖板扣合在所述护板的上端开口处形成用于放置多晶硅铸锭坩埚的内部空间，所述盖板主要由C/C板和结合在C/C板下板面的金属板组成，所述金属板的熔点大于1800K；所述护板上部开有出气孔且所述出气孔对应于所述多晶硅铸锭坩埚的上方，所述盖板上开有贯穿C/C板和金属板的进气孔，通过进气孔与出气孔对所述内部空间进行换气通风，改善铸锭过程的气体循环以纯化多晶硅熔化和再生长的环境。可大幅度减少多晶硅中C、O等杂质的含量，提高了硅料的利用率和切片得率，硅片的电池转换效率可提高0.2%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能光电利用
，具体涉及一种多晶硅铸锭坩埚防护>J-U ρ α装直。
技术介绍
太阳能光伏行业所使用的多晶硅的各种制备方法中，由于定向凝固法产出的硅锭单炉重量大、平均能耗低而使其得到广泛地应用。但是，在利用定向凝固法进行多晶硅铸造时，通常会遇到以下两个问题一是，由于坩埚本身的质量问题，或者装料过程对坩埚存在磕碰等异常，可能会引起坩埚发生破裂，发生硅液溢流的事故，给生产带来损失；二是，在进行多晶硅铸锭时，大多数厂家均使用坩埚护板，而没有使用盖板，或者采用普通的C/C板作为盖板，这种方式会造成铸锭炉中的C/C绝热材料和C/C板中的杂质进入硅熔体中，影响多晶娃的质量。为了解决第一个问题，目前坩埚生产厂商和使用厂家都在坩埚检测上加大力度， 如通过显影液，多道检测等手段对坩埚进行检测，但是，检测方式并不能完全控制出厂坩埚的质量。如在后续运输和操作中，坩埚也可能发生磕碰和损伤等异常，导致在铸锭过程中出现硅液溢流的事故。传统的多晶硅铸锭方法，一般是在石英坩埚四周放置四块石墨护板，利用螺母固定拼接，一旦发生溢流时，整个护板会完全损坏，损失巨大。中国技术授权专利(专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括由竖板两两相连合围而成的护板及分别设置在所述护板上、下端的盖板和底板，所述盖板扣合在所述护板的上端开口处形成用于放置多晶硅铸锭坩埚的内部空间，其特征在于：所述盖板主要由C/C板和结合在C/C板下板面的金属板组成，所述金属板的熔点大于1800K；所述护板上部开有出气孔且所述出气孔对应于所述多晶硅铸锭坩埚的上方，所述盖板上开有贯穿C/C板和金属板而用于向所述内部空间中输送保护气体的进气孔，通过进气孔与出气孔对所述内部空间进行换气通风，改善铸锭过程的气体循环以纯化多晶硅熔化和再生长的环境。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭坩埚防护装置，包括由竖板两两相连合围而成的护板及分别设置在所述护板上、下端的盖板和底板，所述盖板扣合在所述护板的上端开口处形成用于放置多晶硅铸锭坩埚的内部空间，其特征在于所述盖板主要由C/C板和结合在C/C板下板面的金属板组成，所述金属板的熔点大于1800K ;所述护板上部开有出气孔且所述出气孔对应于所述多晶硅铸锭坩埚的上方，所述盖板上开有贯穿C/C板和金属板而用于向所述内部空间中输送保护气体的进气孔，通过进气孔与出气孔对所述内部空间进行换气通风，改善铸锭过程的气体循环以纯化多晶硅熔化和再生长的环境。2.根据权利要求I所述的多晶硅铸锭坩埚防护装置，其特征在于所述出气孔均匀分布在所述护板的圆周，所述出气孔为圆形孔，其圆心位于所述护板上端边沿下方20-80mm处，所述出气孔在每个竖板上设有6-16个，所述出气孔的直径范围是10-36mm ;所述进气孔位于所述盖板的中心部位，所述进气孔为圆形孔，所述进气孔的直径范围为60-120mm。3.根据权利要求2所述的多晶硅铸锭坩埚防护装置，其特征在于所述护板由数层护板组件叠加而成,每层护板组件由数个板体合围组成，即所述竖板由所述板体叠加而成,所述护板中各竖板的高度相同；所述出气孔位于最上层护板组件的板体上，至少在最下层护板组件的板体下边沿设有溢流孔。4.根据权利要求3所述的多晶硅铸锭坩埚防护装置，其特征在于所述溢流孔位于各层护板组件之间的叠加部位。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新明，明亮，钟根香，
申请(专利权)人：东海晶澳太阳能科技有限公司，南京工业大学，
类型：发明
国别省市：