半导体装置的制造方法以及半导体制造装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
本专利技术涉及具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片上的负性抗蚀剂特别是位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止对在晶片的外缘上形成的负性抗蚀剂供给曝光光线。
技术介绍
例如，在专利文献1中公开了在晶片上形成电镀用电极的方法。在图9中概略地示出专利文献1所公开的电镀用电极形成方法。首先，在晶片100的整个面依次形成导电层110和负性抗蚀剂120，在晶片的外缘上的负性抗蚀剂120上形成遮光部130。接着，经由形成有预定的图案的中间掩模图案（reticlepattern）对负性抗蚀剂120进行曝光。最后，在除去了遮光部130后进行显影处理。由此，在负性抗蚀剂120上形成所希望的图案，并且，使位于在晶片100的外缘的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130的区域的下方的导电层110露出，由此，形成所希望的电镀用电极。专利文献1：日本特开2005-5462号公报。在专利文献1公开的专利技术中，如...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；横跨所述第一晶片的外缘的至少一部分的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。
【技术特征摘要】
2011.07.22 JP 2011-1612991.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法是在晶片上形成电镀用电极的方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂的形成所述电镀用电极的区域进行曝光；从所述负性抗蚀剂的表面上和侧面除去所述遮光材料；进行所述负性抗蚀剂的显影，将与形成所述电镀用电极的区域对应的区域的负性抗蚀剂除去而使所述导电层露出，形成所述电镀用电极。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料具备吸收曝光光线的带隙。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料具备对365nm～436nm的波长区域吸收光的带隙。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，对所述负性抗蚀剂的曝光通过以下方式进行：经由形成有预定的图案的矩形的中间掩模图案多次向所述负性抗蚀剂投影所述预定的图案。5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述负性抗蚀剂的显影将所述负性抗蚀剂除去，按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出，并且，按照所述遮光材料使所述导电层露出，之后，将按照所述遮光材料露出的所述导电层作为电镀用电极，在按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出的部位，利用电镀法形成电极。6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述负性抗蚀剂上形成有能够使曝光光线透过的保护膜，所述制造方法具有在对所述负性抗蚀剂曝光后且在所述负性抗蚀剂的显影前除去所述保护膜的工序。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料的涂敷以横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上的所述保护膜的表面和所述第一晶片的侧面的方式进行。8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法使用了具有如下晶片载置台的半导体制造装置：具备载置所述第一晶片的载置面，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，在涂敷所述遮光材料的工序之前，具有以所述第一晶片的外缘从所述载置面的端部突出的方式将所述第一晶片配置在所述载置面上的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体制造装置具备能够供给所述遮光材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：进藤正典，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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