半导体装置的制造方法以及半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给。该制造方法具有：准备在晶片（1）的表面上依次形成有导电层（2）以及负性抗蚀剂（3）的晶片（5）的工序；在晶片（5）的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂（3）的表面上和侧面地涂敷遮光材料（32）的工序；对负性抗蚀剂（3）进行曝光的工序；除去遮光材料（32）的工序；以及对负性抗蚀剂（3）进行显影的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
本专利技术涉及具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片上的负性抗蚀剂特别是位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止对在晶片的外缘上形成的负性抗蚀剂供给曝光光线。
技术介绍
例如，在专利文献1中公开了在晶片上形成电镀用电极的方法。在图9中概略地示出专利文献1所公开的电镀用电极形成方法。首先，在晶片100的整个面依次形成导电层110和负性抗蚀剂120，在晶片的外缘上的负性抗蚀剂120上形成遮光部130。接着，经由形成有预定的图案的中间掩模图案（reticlepattern）对负性抗蚀剂120进行曝光。最后，在除去了遮光部130后进行显影处理。由此，在负性抗蚀剂120上形成所希望的图案，并且，使位于在晶片100的外缘的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130的区域的下方的导电层110露出，由此，形成所希望的电镀用电极。专利文献1：日本特开2005-5462号公报。在专利文献1公开的专利技术中，如上述那样利用油墨印刷在位于晶片100的外缘上的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130。但是，在该结构中，在对负性抗蚀剂120进行曝光时，曝光光线有时从晶片100的侧面方向绕入到遮光部130之下的负性抗蚀剂120。因此，在照射了曝光光线的部位对显影液为不溶性或难溶性的负性抗蚀剂的特性上，存在难以在对负性抗蚀剂120进行显影时按照想要的图案使导电层110露出，难以形成所希望的电镀用电极的问题。另外，并不限于形成电镀用电极的情况，在具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法中，曝光光线从该晶片的侧面绕入成为严重的问题，其中，上述遮光部在对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，防止对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给曝光光线。
技术实现思路
因此，本专利技术解决上述问题，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线从晶片侧面绕入到位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂。本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；在所述第一晶片的外缘的至少一部分横跨所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。本专利技术的半导体制造装置具有晶片载置台，该晶片载置台具备载置晶片的载置面，该半导体制造装置的特征在于，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，由于横跨负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料，所以，在对第一晶片的外缘的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，能够进一步防止曝光光线从晶片的侧面绕入到位于第一晶片的外缘的负性抗蚀剂。因此，在半导体装置的制造中能够谋求进一步提高成品率。另外，根据本专利技术的半导体制造装置，由于采用通过载置面的表面的重心并且连结该载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在该载置面上载置的晶片的直径的长度短的结构，所以，即使在进行以晶片的外缘相对于该载置面突出的方式在该载置面配置晶片并横跨上述的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料的工序的情况下，所涂敷的遮光材料也会沿着晶片的侧面向地面方向滴落，因此能够减少绕入到晶片背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置在曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因而，能够进一步提高利用本专利技术的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。附图说明图1是概略地表示本专利技术的第一实施方式的半导体制造装置的立体图。图2是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5涂敷遮光材料的状态的图。图3是从晶片5的表面侧观察涂敷遮光材料32后的晶片5的俯视图。图4是概略地表示使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光的工序的俯视图。图5是概略地表示本专利技术的第二实施方式的半导体制造装置的立体图。图6是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给了遮光材料32的状态以及从在晶片5的下方配置的送风机构50对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘供给空气的状态的图。图7是概略地表示本专利技术的第三实施方式的半导体制造装置的立体图。图8是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5供给了遮光材料32的状态以及从在与载置面22同一平面且与载置面22分离的位置对涂敷有遮光材料32的晶片5的外缘的周边的外部气体进行吸引的状态的图。图9是概略地表示本专利技术的现有技术的图。具体实施方式以下，参照附图详细地对本专利技术的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法进行说明。(第一实施方式)图1是概略地表示本专利技术的半导体制造装置的第一实施方式的立体图。本专利技术的第一实施方式的半导体制造装置具有晶片载置台20，该晶片载置台20具备载置晶片1的载置面22，该半导体制造装置的特征在于，作为通过载置面22的表面的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线的虚线箭头24比在载置面22上载置的晶片1的直径的长度短。此外，虽然晶片1未包含在本专利技术的半导体制造装置中，但是，为了便于说明而在图1中示出。本专利技术的第一实施方式的半导体制造装置具备控制部10、晶片载置台20以及遮光材料供给部30，例如，能够应用于以在晶片的外缘涂敷所希望的液体为目的的液体涂敷装置。晶片1是在通常的半导体装置的制造中使用的晶片，例如是6英寸、8英寸或12英寸的晶片。虚线箭头2表示晶片1的直径，如果是6英寸的晶片，则其直径为150mm，如果是8英寸的晶片，则其直径为200mm，如果是12英寸的晶片，则其直径为300mm。控制部10是对晶片载置台20以及遮光材料供给部30的工作进行控制的控制机构。此外，在第一实施方式中，将控制部10作为进行晶片载置台20的工作控制和遮光材料供给部30的工作控制的机构即作为共同的控制机构进行说明，但并不限于此，显然，晶片载置台20的工作控制和遮光材料供给部30的工作控制由独立的控制机构分别独立地进行控制也可。另外，显然也能在控制部10中进行晶片载置台20以及遮光材料供给部30的工作以外的控制。晶片载置台20以具备支柱21和载置面22并且载置面22形成在支柱21上的方式构成。支柱21借助控制部10的控制进行使载置面22旋转的控制。载置面22借助来自支柱21的控制例如以载置面22的表面的重心23为旋转轴进行旋转。虚线箭头24是通过载置面22的重心23并且连结载置面22的两端部的直线中最长的第一直线，该第一直线设计得比晶片1的直径短。优选载置面22为圆形，在该情况下，载置面22的直径设计得比晶片1的直径短。另外，在载置面22为圆形的情况下，载置面22以载置面22的表面的中心为旋转轴进行旋转。在半导体制造装置对应于6英寸的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；横跨所述第一晶片的外缘的至少一部分的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。

【技术特征摘要】
2011.07.22 JP 2011-1612991.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法是在晶片上形成电镀用电极的方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂的形成所述电镀用电极的区域进行曝光；从所述负性抗蚀剂的表面上和侧面除去所述遮光材料；进行所述负性抗蚀剂的显影，将与形成所述电镀用电极的区域对应的区域的负性抗蚀剂除去而使所述导电层露出，形成所述电镀用电极。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料具备吸收曝光光线的带隙。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料具备对365nm～436nm的波长区域吸收光的带隙。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，对所述负性抗蚀剂的曝光通过以下方式进行：经由形成有预定的图案的矩形的中间掩模图案多次向所述负性抗蚀剂投影所述预定的图案。5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用所述负性抗蚀剂的显影将所述负性抗蚀剂除去，按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出，并且，按照所述遮光材料使所述导电层露出，之后，将按照所述遮光材料露出的所述导电层作为电镀用电极，在按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出的部位，利用电镀法形成电极。6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第一晶片的所述负性抗蚀剂上形成有能够使曝光光线透过的保护膜，所述制造方法具有在对所述负性抗蚀剂曝光后且在所述负性抗蚀剂的显影前除去所述保护膜的工序。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述遮光材料的涂敷以横跨所述第一晶片的外缘的形成所述电镀用电极的区域的所述负性抗蚀剂的表面上的所述保护膜的表面和所述第一晶片的侧面的方式进行。8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法使用了具有如下晶片载置台的半导体制造装置：具备载置所述第一晶片的载置面，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，在涂敷所述遮光材料的工序之前，具有以所述第一晶片的外缘从所述载置面的端部突出的方式将所述第一晶片配置在所述载置面上的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体制造装置具备能够供给所述遮光材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：进藤正典，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：