温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线对位于晶片...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。