【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺制程领域，尤其涉及一种炉管通气炬。
技术介绍
在半导体的制造工艺流程中，经常需要对晶圆进行扩散、沉积、氧化以及烧结工艺，而这些工艺通常需要在加热设备——炉管中完成。现有半导体材料在高纯净的炉管内进行高温反应的过程中，通常需要向炉管通入不同类型的气体；并且，在整个工艺过程中，炉管需要纯净、轻便、耐高温。目前，炉管一般分为水平式和直立式两种。如图I所示，为一直立式炉管的结构示意图，包括外管101、内管102、气体反应腔103、基座105、气体输入管106以及尾气排出管107。内管102和外管101之间设置有材质为石英的气体喷嘴；气体反应腔103为气体的反·应腔体；晶舟104被置于气体反应腔103内，用于承载晶圆；基座105在晶舟104下方，用于支撑晶舟104和起到隔热的作用。气体输入管106将反应所需的反应气体输送到气体反应腔103内以进行化学反应，以在晶圆上形成需要的薄膜层，尾气排出管107用以将反应产生的副产物或未反应的气体排出气体反应腔103。如图I所示，所述炉管还包括炉管通气炬，所述炉管通气炬包括进气通路109、排气通路110和气体加热腔...
【技术保护点】
一种炉管通气炬，包括进气通路，所述进气通路与外部供气管连接，其特征在于，还包括：卡凸，所述卡凸位于所述进气通路外壁上；夹具，用于夹持所述卡凸和外部供气管，固定进气通路和外部供气管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾武强，潘琦，邹旻，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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