基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

基板处理方法包括从基板上除去多余物的除去工序和与除去工序并行地进行的蒸发工序。所述除去工序通过向基板供给含有氟化氢的HF蒸汽和含有水能够溶解并且沸点比水的沸点低的溶剂的溶剂蒸汽，来蚀刻并除去所述多余物。所述蒸发工序使所述基板上的所述溶剂蒸发。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理基板的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED (Field EmissionDisplay :场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置及液晶显示装置的制造工序中，通过向半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板供给氢氟酸(氟化氢的水溶液)，来进行从基板上除去不需要的膜的蚀刻工序、从基板上除去颗粒的清洗工序。例如，在JP专利第4403202号公报中公开了通过向基板供给氢氟酸来从基板上除去不需要的膜的残渣的基板处理方法。向所述基板供给了氢氟酸之后，向所述基板供给作为冲洗液的纯水，由此冲洗掉所述氢氟酸。其后，通过从所述基板上除去液体来干燥所述基板。在要从基板上除去液体来干燥所述基板时，存在导致形成在所述基板表面上的图案倒塌的情况。尤其高宽比(aspect ratio)大的图案容易发生倒塌。发生图案倒塌是由于，存在于图案之间的液体的表面张力产生使图案倾斜的力。因此，若利用蒸汽而非利用液体则能够抑制或防止图案的倒塌。然而，利用氢氟酸蒸汽处理了基板的情况下，如后述会产生新的残渣。因此，为了从所述基板上除去所述残渣，需要向所述基板供给纯水。但是，对供给了所述纯水的所述基板进行干燥时，存在所述纯水的表面张力使形成在基板表面上的图案倒塌的情况。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式提供一种能够抑制或防止图案倒塌及生成残渣的基板处理方法及基板处理装置。本专利技术的一个实施方式的基板处理方法，对多余物进行蚀刻来从基板上除去所述多余物，该基板处理方法包括除去工序，通过向基板供给含有氟化氢的HF (氟化氢)蒸汽和含有溶剂的溶剂蒸汽，来蚀刻除去所述多余物，其中，所述溶剂是水能够溶解并且沸点比水的沸点低的溶剂，蒸发工序，与所述除去工序并行，在所述蒸发工序中，使所述基板上的所述溶剂蒸发。所述HF蒸汽可以是氢氟酸蒸汽，也可以是含有氢氟酸蒸汽的气体。例如，所述HF蒸汽可以是含有氢氟酸蒸汽和运载气体的气体。同样地，所述溶剂蒸汽可以是溶剂蒸汽，也可以是含有溶剂蒸汽的气体。另外，所述除去工序可以是向基板分别独立地供给HF蒸汽和溶剂蒸汽，使所述HF蒸汽和所述溶剂蒸汽在所述基板上混合的工序，也可以是向基板供给混合状态的HF蒸汽和溶剂蒸汽的工序。另外，所述蒸发工序可以是对所述基板上的溶剂进行加热的加热工序，也可以是减小气压的减压工序，还可以是对所述基板上的溶剂进行加热并且减小气压的加热和减压工序。若向二氧化硅(SiO2)供给含有氟化氢(HF)的HF蒸汽，则发生“Si02 +HF — H2SiF6 + 2H20”的反应，由此生成氟硅酸(H2SiF6WPA(H2O)15根据本申请的专利技术人的研究了解到，若在供给了 HF蒸汽之后水残留在基板上，则形成“H2SiF6 · 8H20”这样的副产物，该副产物作为残渣残留在所述基板上。氟硅酸若没有水，则分解为SiF4和HF而会升华。由此，只要与对二氧化硅的蚀刻处理并行地除去水，就能够抑制或防止残渣的生成。若采用本专利技术的所述实施方式的基板处理方法，则HF蒸汽和溶剂蒸汽在基板上被液化，由此将氟化氢的微细液滴和溶剂的微细液滴供给至所述基板上。通过供给氟化氢，蚀刻并除去所述基板上的不需要的膜、颗粒等多余物。另外，水能够溶解在所述溶剂中，因而通过进行蚀刻而生成的水溶入该所述溶剂中。进而，由于所述溶剂的沸点比水的沸点更低，因而所述溶剂迅速蒸发而从所述基板上除去。从所述基板上与所述溶剂一同除去溶入所述溶剂中的水。由此，降低水的残留量。这样，在对多余物进行蚀刻期间，持续从所述基板上除去水，因而能够降低水的残留量。由此，能够抑制或防止残渣的生成。进而，由于使`用蒸汽来除去多余物，因而能够抑制或防止形成在所述基板表面上的图案的倒塌。所述溶剂可以含有水能够溶解并且沸点比水的沸点低的氟类溶剂以及水能够溶解且沸点比水的沸点低的醇类中的至少一种。优选地，本专利技术的所述实施方式的基板处理方法在进行了所述除去工序之后还进行溶剂蒸汽供给工序，在所述溶剂蒸汽供给工序中，在停止向基板供给所述HF蒸汽的状态下，向所述基板供给所述溶剂蒸汽。在所述溶剂蒸汽供给工序中供给至所述基板的所述溶剂蒸汽中所含有的溶剂和在所述除去工序中供给至所述基板的所述溶剂蒸汽中所含有的溶剂，可以是同种溶剂，也可以是不同溶剂。由于在HF蒸汽中含有氟化氢，因而在所述除去工序中将HF蒸汽供给至基板时，存在在所述基板上生成氟(还有氟离子)的情况。若采用该方法，则能够通过供给所述溶剂蒸汽来从所述基板上除去所述氟。由此，能够降低氟的残留量。由此，能够提高所述基板的洁净度。优选地，所述除去工序包括比率变更工序，在所述比率变更工序中，改变要向基板供给的所述HF蒸汽和所述溶剂蒸汽的比例。通过进行所述比率变更工序，能够根据多余物的除去量来增减所述溶剂蒸汽的比例。例如，若多余物的除去量增加，则通过进行蚀刻而生成的水的量会增加。由此，通过增加所述溶剂蒸汽的比例，能够可靠地从基板上除去因蚀刻而生成的水。由此，能够抑制或防止残渣的生成。优选地，本专利技术的所述实施方式的基板处理方法在进行了所述除去工序之后还进行蒸汽除去工序，在所述蒸汽除去工序中，从暴露于所述HF蒸汽和溶剂蒸汽中的基板除去所述HF蒸汽和溶剂蒸汽。通过进行该工序，除去在所述除去工序中向所述基板供给并处于所述基板的附近的HF蒸汽和溶剂蒸汽。由此，能够抑制或防止因所述HF蒸汽和所述溶剂蒸汽附着在所述基板上而在所述基板上生成微细液滴。进而，能够除去附着在所述基板上的微细液滴。这样，从所述除去工序经由所述蒸汽除去工序，所述基板维持干燥状态，即，维持在形成在基板上的图案之间不填充液体的状态。由此，能够抑制或防止因存在于所述图案之间的液体的表面张力而导致所述图案倒塌的情况。优选地，所述除去工序是，向基板供给具有与所述多余物的种类相对应的水分浓度的所述HF蒸汽和所述溶剂蒸汽的工序。根据多余物的种类不同，有时在不存在水的环境下，蚀刻速率(单位时间内的除去量)低。由此，通过向含有这样的多余物的基板供给水分含浓度大的HF蒸汽，能够缩短处理时间。另一方面，根据多余物的种类不同，有时蚀刻速率高，在蚀刻时的单位时间内的水的生成量多。由此，通过向含有这样的多余物的基板供给水分浓度低的HF蒸汽，能够减少所述基板上的水分量，从而能够抑制或防止残渣的生成。本专利技术的一个实施方式的基板处理装置包括基板保持单元，其保持基板；蒸汽供给单元，其向保持在所述基板保持单元上的基板供给含有氟化氢的HF蒸汽和含有溶剂的溶剂蒸汽，其中，所述溶剂蒸是水能够溶解且沸点比水的沸点低的溶剂，蒸发单元，其使保持在所述基板保持单元上的基板上的所述溶剂蒸发，控制单元。所述控制单元控制所述蒸汽供给单元来执行除去工序，在所述除去工序中，向保持在所述基板保持单元上的基板`供给所述HF蒸汽和所述溶剂蒸汽，由此对多余物进行蚀刻来从所述基板上除去所述多余物，该控制单元控制所述蒸发单元来与所述除去工序并行地执行蒸发工序，在所述蒸发工序中，使所述基板上的所述溶剂蒸发。根据该结构，能够起到与所述基板处理方法的效果同样的效果。所述蒸汽供给单元向保持在所述基板保持本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，对多余物进行蚀刻来从基板上除去所述多余物，其特征在于，包括：除去工序，通过向基板供给含有氟化氢的氟化氢蒸汽和含有溶剂的溶剂蒸汽，来蚀刻除去所述多余物，其中，所述溶剂是水能够溶解且沸点比水的沸点低的溶剂，蒸发工序，与所述除去工序并行，在所述该蒸发工序中，使所述基板上的所述溶剂蒸发。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：基村雅洋，尾辻正幸，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：