半导体处理设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体处理设备。所述半导体处理设备包括腔体、进气装置和设置在所述腔体中的衬底支撑座，所述进气装置用于向所述腔体中输入反应气体，所述一种衬底支撑座包括：支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，从而调节所述支撑基座的温度。本实用新型专利技术的半导体处理设备，通过调节加热器至少部分与所述支撑基座之间的距离达到调节所述支撑基座温度的效果，扩展了对所述支撑基座温度调节方式和/或温度调节范围。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体处理设备。
技术介绍
现阶段半导体器件已经广泛应用在生产、生活的方方面面，并极大地提高了生产效率，方便和丰富了人民的生活。生产半导体器件需要各种的半导体处理设备，如物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备和刻蚀(etching)设备。现有技术的半导体处理设备对半导体的处理的过程中，需要将衬底放置到反应腔内的衬底支撑座上,通过衬底支撑座对衬底进行加热并调节衬底的温度。以下以有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备为例对现有技术的半导体处理设备进行简单说明。 请参阅图1，图I为现有技术MOCVD设备的结构示意图。所述MOCVD设备I包括腔体11设置在所述腔体11内的进气装置12和衬底支撑座。所述进气装置12设置在所述腔体11的顶部。所述衬底支撑座设置在所述腔体11的底部，并且与所述进气装置12相对设置。所述衬底支撑座用于在所述MOCVD设备I对衬底进行处理时，支撑并加热所述衬底。所述衬底支撑座包括支撑基座13和加热器14。所述支撑基座13包括面向所述进气装置12的衬底支撑面131和与所述衬底支撑面131相对的底面132。衬底可被设置在所述衬底支撑面131。所述加热器14设置在所述支撑基座13临近所述底面132的一侧。所述加热器14通过热辐射或热对流的方式对所述支撑基座13进行加热，通常所述加热器14为电热丝加热器。在进行衬底处理的过程中，待加工衬底被设置在所述支撑基座13的衬底支撑面131。所述加热器14对所述支撑基座13进行加热，使得所述支撑基座13达到预设的温度。反应气体从所述进气装置12进入所述腔体11内并在所述支撑基座13的上表面受热发生反应从而在所述衬底表面沉积一层薄膜。对衬底进行处理，需要控制和调节所述支撑基座13的支撑表面131温度参数。所述温度参数包括温度大小、温度分布和温度均匀性等等。现有技术的衬底支撑座通常通过调节加热器14的输出功率来调节所述支撑基座13的支撑表面131温度；如通过控制电阻加热丝发热功率。然而，对加热器14的输出功率的调节是有限的，随着技术的发展，通过调节加热器14的输出功率的方式来调节所述支撑基座13的支撑表面131温度已经不能满足MOCVD设备的发展需求。现有技术的其他类型CVD设备，如=PECVD设备、LPCVD设备等，以及其它半导体处理设备如PVD设备和Etching设备等都有具有基本相同的衬底支撑座，因此也存在基本相同的问题
技术实现思路
为解决现有技术半导体处理设备的衬底支撑座对衬底的温度调节不能满足技术发展的需求的问题，本技术提供一种新型的半导体处理设备。一种半导体处理设备，其包括腔体、进气装置和设置在所述腔体中的衬底支撑座，所述进气装置用于向所述腔体中输入反应气体，所述一种衬底支撑座包括支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，从而调节所述支撑基座的温度。本技术的半导体处理设备中，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，因所述加热器和所述支撑基座的之间热交换与其二者之间的距离相关，距离变小，所述加热器与所述支撑基座的之间热交换变大，所述支撑基座的温度就升高，反之亦然；因此，通过调节加热器至少部分与所述支撑基座之间的距离就可以达到调节所述支撑基座温度；从而扩展了对所述支撑基座温度调节方式和/或温度调节范围。附图说明图I为现有技术MOCVD设备的结构示意图。 图2是本技术半导体处理设备第一实施方式的衬底支撑座剖面结构示意图。图3为本技术半导体处理设备第二实施方式的衬底支撑座剖面结构示意图。图4为图3所示加热器的平面结构示意图。图5是本技术半导体处理设备第三实施方式的衬底支撑座截面结构示意图。图6是本技术半导体处理设备第四实施方式的衬底支撑座截面结构示意图。图7是图6所述加热器的平面结构示意图。图8是图6所述加热器的另一实施方式平面结构示意图。图9是本技术半导体处理设备第五实施方式的衬底支撑座截面结构示意图。具体实施方式现有技术的半导体处理设备的衬底支撑座存在着对衬底的温度调节不能满足技术发展需求的问题。为解决现有技术半导体处理设备的衬底支撑座存在的问题，本技术提供一种半导体处理设备；所述半导体处理设备包括腔体、进气装置和设置在所述腔体中的衬底支撑座，所述进气装置用于向所述腔体中输入反应气体，所述一种衬底支撑座包括支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，从而调节所述支撑基座的温度。本技术的半导体处理设备中，所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调；因所述加热器和所述支撑基座的之间热交换与其二者之间的距离相关，距离变大，所述加热器与所述支撑基座的之间热交换变大，所述支撑基座的温度就升高，反之亦然。因此，通过调节加热器至少部分与所述支撑基座之间的距离就可以达到调节所述支撑基座温度，扩展了对所述支撑基座温度调节方式和温度调节范围。请参阅图2，图2是本技术半导体处理设备第一实施方式的衬底支撑座剖面结构示意图。所述衬底支撑座2设置在半导体处理设备的腔体中，用于支撑和加热一个或多个衬底；所述半导体处理设备还包括一进气装置，所述进气装置用于向所述腔体中引入反应气体，优选的，所述进气装置为位于所述腔体内，且与所述衬底支撑座2相对设置的喷淋头。其中，所述半导体处理设备可以是物理气相沉积(PVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备或刻蚀(etching)设备；优选地，所述半导体处理设备为化学气相沉积(CVD)设备；进一步优选的，所述半导体处理设备为金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备；最优的，所述半导体处理设备为近稱合喷淋头式金属有机化学气相沉积(CCS-M0CVD)设备。所述衬底支撑座2包括支撑基座22和加热器21，所述支撑基座22包括衬底支撑面221和与所述衬底支撑面221相对的底面222。衬底23可被设置在所述衬底支撑面221。所述加热器21设置在所述支撑基座22临近所述底面222的一侧。所述加热器21通过热辐射或热对流的方式对所述支撑基座22进行加热；所述支撑基座22与所述加热器21之间的距离H可调，以调节所述支撑基座22的温度。所述加热器21可以为电阻加热器，如所述加热器21为镍电热丝加热器或钨电热丝加热器。可选的，所述加热器21也可以是红 外线加热器。所述衬底支撑座2还包括一驱动模块(图未示)，用以调节所述支撑基座22与所述加热器21之间的距离H。所述驱动模块可以通过移动所述支撑基座22或所述加热器21以调节所述距离H。优选的，所述驱动模块连接到所述加热器21 ;所述驱动模块通过平移所述加热器21使其靠近或远离所述支撑基座22以调节所述距离H。所述衬底支撑座2对所述支撑基座22的温度调节过程是，当所述支撑基座22温度需要升高时；调节所述支撑基座22与所述加热器21之间的距离H，使得所述距离H缩小，如使得所述驱动模块驱动所述加热器21平移靠近所述支撑基座22。由于所述距离H缩小，从而所述加热器21发出的热辐射或通过热对流传输到所述支撑基座22的热量增加，则所述支撑基座22与所述加热器21的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理设备，其包括腔体、进气装置和设置在所述腔体中的衬底支撑座，所述进气装置用于向所述腔体中输入反应气体，所述衬底支撑座包括：支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座，其特征在：所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调，从而调节所述支撑基座的温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：实用新型
国别省市：