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本实用新型提供一种半导体处理设备。所述半导体处理设备包括腔体、进气装置和设置在所述腔体中的衬底支撑座，所述进气装置用于向所述腔体中输入反应气体，所述一种衬底支撑座包括：支撑基座，用于支撑一个或多个衬底；加热器，所述加热器用于加热所述支撑基座...
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