功率用半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明专利技术涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳化硅半导体装置等功率用半导体装置。
技术介绍
在由专利文献I记载的功率用垂直型金属一氧化膜一半导体场效应型晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor :M0SFET:金属-氧化层-半导体-场效晶体管)和二极管构成的功率用半导体装置中，如该文献的图I以及图2所示，在MOSFET的单元区域的周缘部、即与栅极焊盘部邻接的区域中，至少将二极管配置成一列。这样的各个二极管吸收在MOSFET从ON状态切换为OFF状态时，从该文献的图2所示的P阱以及P基极向漏极侧的N型半导体层内正向偏置时注入的空穴。因此，该文献的上述构造能够防止在MOSFET从正向偏置向逆向偏置切换时，该文献的图3所示的寄生晶体管成为0N。 此处，在该文献的上述构造中，如其图2所示，作为MOSFET的P阱的P基极经由背栅而与源电极电连接。专利文献I :日本特开平5 - 198816号公报(图f图3)
技术实现思路
以下，根据专利文献I的图2，说明本专利技术应解决的问题点。在使专利文献I记载的功率用半导体装置的MOSFET从ON状态切换为OFF状态时，M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野史郎，三浦成久，中田修平，大塚健一，渡边昭裕，古川彰彦，中尾之泰，今泉昌之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：