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在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电...
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