具有减小电容的双栅LDMOS装置制造方法及图纸

兹揭示一种晶体管，所述晶体管包含植入于基板的n型阱、包含有在n型阱中的p型本体区域以及在所述p型本体区域中的n+区域与p+区域的源极区域、包含n+区域的漏极区域，以及在源极区域与漏极区域之间的双栅极。双栅极包含在接近于源极区域的一侧上的第一栅极，以及在接近于漏极区域的一侧上的第二栅极，第一栅极与第二栅极以一预定距离分隔，预定距离足以使栅极与漏极之间的电容至少15%低于除了第一栅极与第二栅极为相邻以外，具有相同的单位晶格大小及配置的晶体管的电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
下文的揭示涉及半导体装置，且下文的揭示更特定地涉及横向扩散金氧半导体(LDMOS)场效晶体管装置。
技术介绍
诸如直流对直流转换器的电压调节器，被使用以提供用于电子系统的稳定电压源。高效率的直流对直流转换器特定地为在低功率装置(诸如笔记型电脑与移动电话)中的电池管理所需。切换电压调节器(或简称为“切换调节器”)已知为一种高效率的直流对直流转换器类型。切换调节器通过将输入直流电压转换成高频电压，并且将所述高频输入电压滤波以产生输出直流电压而产生输出电压。特定而言，切换调节器包含切换器(switch) 以交替地耦合及去耦合输入直流电压源(诸如电池)至负载(诸如集成电路)。输出滤波器(通常包含电感器与电容器)经耦合于输入电压源与负载之间以将切换器输出滤波，且因此提供输出直流电压。控制器(诸如脉冲宽度调制器或脉冲频率调制器)控制切换器以维持大体固定的输出直流电压。因为具有低特定导通电阻(on-resistance)以及高漏极对源极击穿电压,所以横向扩散金氧半导体(LDMOS)晶体管被使用于切换调节器中。
技术实现思路
在一方面中，晶体管包含植入于基板的η型阱、包含ρ型本体区域的源极区域、在ρ型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马可·A·苏尼加，
申请(专利权)人：沃特拉半导体公司，
类型：
国别省市：