本发明专利技术涉及用于缓冲储存大量晶片型工件17的装置，包含框架1，至少两个输送元件3，其每个以垂直方向围绕连接在框架上的上部和下部偏向装置5循环，并且以均匀的间隔在其上提供多个承载区域4用于工件17的水平安装，其中驱动每个输送元件3的至少一个偏向装置5，其中在输送元件3之间有自由空间，上部偏向装置5间的装载位置33，在所述位置上，每个工件17可以放置在相应的承载区域4上，和装载位置33下的固定移出装置，包含水平输送装置7、8、9，其第一末端位于输送元件3的自由空间内。本发明专利技术还涉及一种用于缓冲储存大量晶片型工件17的方法，其使用上述装置。
【技术实现步骤摘要】
专利技术主题本专利技术涉及，所述晶片型工件在垂直方向上彼此上下排列，工件彼此不接触。装置包含框架、至少两个传输元件、装载位置和固定移动装置，所述至少两个传输元件在垂直方向上循环，并且以均一的间隔为工件的水平支架提供多个承载区域。现有技术现代工业中的各种产品需要非常精确加工的晶片型工件形式的半导体产品。例如，用于生产计算机的磁性大容量存储器(硬盘)的包含玻璃和铝作为基材的有环纹的晶片、光学玻璃、用于光学目标的高水平基准面(称为“平面”)、用于生产光伏电池的多晶半导体晶片等。对作为与电子、微电子和微电机相关的功能组件的起始材料的单晶半导体晶片有特别迫切的需求。半导体晶片通过大量连续加工步骤生产，所述步骤通常可以分类为下列组(a)通常单晶半导体棒的生产；(b)将棒切割成单独的晶片；(C)机械加工；(d)化学加工；(e)化学机械加工；(f)任选地，层结构的附加生产。在半导体晶片的生产中是有利的并因而经常使用的，特别是选自组(b)-(f)的那些方法，其中在一个装置中对多个半导体晶片同时进行加工。此加工形式被称为组加工或批加工。例如，组(b)的批加工包括多线切割(MWS)，组(c)的用行星动力学磨片或磨削，组(d)的蚀刻或在浴槽中化学清洗，组(e)的用硅溶胶进行双面抛光(DSP)。对于上述所有批加工而言共同之处是，在加工循环的最后，多个加工的半导体晶片同时或在短时间的进一步加工中得到。因而，与单个晶片或连续加工法相反，批加工以临时不均匀材料流为特征。在进一步加工之前，有必要清洗半导体晶片，以在丽S或磨片加工后去除附着在半导体晶片上的磨片剂，或在DSP后去除抛光剂，或在磨削加工后去除磨削浆体。优选的，在磨片、磨削或抛光加工后直接进行清洗，只要半导体晶片仍旧湿润，因为磨片或抛光剂或磨削浆体一旦干燥，就会非常坚固体附着在表面上，甚至使后者损坏。在先工艺公开了大量清洗方法，其各自适应现有的污染类型和要达到的清洁程度。所述方法被再分为批清洗法，其中大量半导体晶片在一个清洗装置中同时清洗，以及单个晶片清洗法，其中单独并连续地清洗半导体晶片，或者循环连续地或者在连续清洗法中连续地。例如，US6423149BA描述了一种清洗装置，包含大量的相互对立的圆柱形海绵对，其绕其纵轴旋转，通过传送带以连续通路运动使半导体晶片单独连续地在其间穿过，并通过海绵和半导体晶片表面彼此间的接触和相对运动以及提供清洗液，半导体的两侧被同时清洗(具有连续通道的单个晶片清洗法)。所述类型的清洗法已经证明具有特别高的效能。然而，所述方法通常需要单个半导体晶片的循环或连续通过操作，因为供给用于清洗的每个半导体晶片的每个表面必须用清洗工具彻底擦拭。这在浴槽清洗法中是不可能的。因此，在许多情况下，存在如下问题，在批加工的加工后成串得到的半导体晶片必须分离并供给以连续循环地或用连续通道清洗。而且，由于经济可行性的原因，例如，在通过批加工加工后卸载半导体晶片并手工将其供给至随后的清洗的安装操作工将其卸载路径适合于清洗生产量是不期望的，因为这导致等待时间，增加操作人员的支出，减少材料生产量，以及质量损耗。例如，在DSP情况下，如果附着在半导体晶片表面上的抛光剂在其上干燥的话，质量损耗可能上升。另外，在许多情况下，对于供给以直接接近而清洗的半导体晶片，从分批加工中移 出是必要的，以避免半导体晶片的性质变化，例如由保留在半导体晶片上的分配加工的化学活性加工液体的残留导致的氧化或初始蚀刻的结果，以及在人工输送的情况下，例如以增加工效和工作安全性，以及使半导体晶片由于大意的操作而损坏的风险、或在输送通道上从分批加工中移出的半导体晶片的次序交换的风险最小化。最后，对于每个分配加工装置，准确分配一个清洗装置通常是期望的，例如为了避免源自不同分配加工装置的半导体晶片的混淆，而对于能够以非常简洁和充分利用空间的形式体现的清洗装置，为了其能够被改型至目前的分配加工装置，例如，不必长期中断分批加工操作，或甚至不必改变分批加工装置的布置。在先工艺公开了可以单独连续地或同时地拾起大量晶片型工件并再放下的装置。所述装置被称为“缓冲储存”、“缓冲”等。对于半导体晶片，所述暂时储存或堆叠装置被称为“晶片堆叠器”。例如，JP2006-032528A描述了一种装置，包含四对连续(封闭)链，其中两个链每对通过链齿轮彼此连接。两个第一链对通过两个各自的封闭内环形式的偏向滚轴对牵引。剩下的两个链对通过四个各自的偏向滚轴对牵引，各自相对于两个第一链对(内环)之一为同心的，以同样封闭的外环围绕第一链对，以使两对内和外链对分别彼此相对。在所述情况下，在每个链对的头一半中的所有链在共同的第一平面中运行，而每个链对的另一半中的链在第二平面中运行，第二平面安排为与第一平面平行。而且，所有链对的所有链齿轮也彼此平行运行。平面工件，例如用于平板显示设备的玻璃板，可以放置在链齿轮上，以使每个工件被四个链齿轮支持。作为所有偏向滚轮的同步驱动的结果，可以调节链齿轮网络的高度，以使大量工件可以一个在另一个之上堆叠，而彼此不会接触。在所述情况下，以水平位置通过输送滚轮牵引工件至装载位置，并且作为所有偏向滚轮的同步驱动的结果，与位于工件下的链齿轮接触而通过链齿轮向上输送至链齿轮间的一定距离。而后，下一个工件可以如上所述供给到随后的链齿轮，等，结果是最终所有如此提供的工件的堆叠上升。通过将工件逐步向下移动到卸载位置，卸载与装载相似地进行，卸载位置与装载位置一致，通过输送滚轮将工件输送到装置之外。装载和卸载在相同的方向上和两个同心链环对排列的对边上进行。由于JP2006-032528A中的缓冲储存的构建，最后引入到堆叠的工件首先从所述堆叠中再次移出(“后进先出”原则，LIF0)。因此，在装载期间提供工件的次序与卸载期间的相反。而且，在一个时间点上，分别仅仅只有一个工件可以或者装载或者卸载。因此，特别的，在短时间内从运行的分批加工过程中提出大量半导体晶片，并同时在随后的清洗时间中单独连续再次并以包含在堆叠中的次序将其移出(“先进先出”原则，FIFO)是不可能的。而且，JP2006-032528A中描述的缓冲储存也不允许手工快速直接装载，例如由运行的分批加工过程终止后移出半导体晶片的安装操作者快速、连续并保持加工装置的次序的装载，因为装载通过链齿轮间穿过的输送滚轮发生。所述运动仅可以相当慢地发生，因为半导体晶片必须为此移动相应于至少其直径的距离，因而构成速度决定步骤。另外，工件必须放置在移动的输送滚轮上，其不可避免地导致输送滚轮和工件间的不期望的摩擦。而且，横向装载需要所述装置有额外的空间，这导致其不能简单地附属于提供半导体晶片的加工装置中，或如果必要的话，不能容易地被改型而通常不必移动和重新安排加工装置。在许多情况下，移动加工装置甚至完全不可能，因为，在现代制造程序中，通常在 彼此间很小的距离内或在预设的建筑网格内安装大量不同的加工装置，因此其排列从长远看不再可以改变而不干扰整体加工程序或永久改变。问题因此，本专利技术处理指定装置和方法的问题，其使得在进行分批加工后，以实际次序和节省空间的方式缓冲储存大量半导体晶片，并在将半导体晶片供给到缓冲储存期间实际供给，或在将最后的半导体晶片供给至随后的单晶片加工之后直接供给成为可能，例如连续清洗本文档来自技高网...
【技术保护点】
用于缓冲储存大量晶片型工件(17)的装置，包含●框架(1)，●至少两个输送元件(3)，其每个以垂直方向围绕连接在框架上的上部和下部偏向装置(5)循环，并且以均匀的间隔在其上提供多个承载区域(4)用于工件(17)的水平安装，其中驱动每个输送元件(3)的至少一个偏向装置(5)，并且在输送元件(3)之间有自由空间，●上部偏向装置(5)之间的装载位置(33)，在所述位置上，各工件(17)可以放置在相应的承载区域(4)上，和●装载位置(33)下的固定移出装置，包含水平输送装置(7、8、9)，其第一末端位于输送元件(3)的自由空间内。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G·皮奇，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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