【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种刻蚀多晶硅的方法，尤其涉及。
技术介绍
半导体制造工艺中，多晶硅栅极的制造非常关键，对器件的影响也很大。其中对多晶硅刻蚀形貌的控制尤为重要，一般情况下要求刻蚀表面垂直光滑，没有变形。由于多晶硅栅极的尺寸不断缩小，原有的单层光刻胶作为刻蚀阻挡层受限于光刻胶自身的厚度、反射率控制、耐刻蚀性等特性，已不能满足集成要求。目前新研发出的多层阻挡层的多晶硅栅极结构，如图Ia所示，该结构组成主要为从下往上依次沉积衬底硅片5、氧化物4、多晶硅栅极3、无定型碳2、抗反射涂层I、光刻胶(图中未示出)。在对该多层阻挡 层的多晶硅栅极结构进行刻蚀时，现有的刻蚀方法是先刻蚀抗反射涂层1，然后刻蚀无定型碳2，再刻蚀多晶硅栅极3。但由于在多晶硅栅极刻蚀步骤之前，抗反射涂层I仍有一定量的残留，如图Ia所示，在多晶硅栅极结构刻蚀的开始阶段为将抗反射涂层I作为刻蚀阻挡层，在刻蚀一段时间后无定型碳2才作为刻蚀阻挡层，从而形成多晶硅栅极结构刻蚀过程中有两种刻蚀阻挡层共存的情况。然而，抗反射涂层I的主要成份为SiO2，无定型碳2主要成份为碳，这明显对于刻蚀过程中的聚合物保护层的形成产生...
【技术保护点】
一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：多晶硅栅极结构为在一衬底硅片上从下往上依次沉积氧化物、多晶硅栅极、无定型碳、抗反射涂层、光刻胶；步骤2：将所述多晶硅栅极结构放入反应腔；步骤3:以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述光刻胶覆盖之外的所述抗反射涂层至所述无定型碳的上表面；？步骤4：继续以剩余的所述抗反射涂层为掩膜，刻蚀所述无定型碳至所述多晶硅栅极的上表面；步骤5：完全去除所述无定型碳表面残余的所述抗反射涂层；步骤6：继续刻蚀所述无定型碳覆盖之外的所述多晶硅栅极至所述氧化物的上表面，去除剩余的所述无定型碳。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李全波，张瑜，孟祥国，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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