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本发明涉及一种刻蚀多晶硅的方法，尤其涉及一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法。本发明一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法通过在多晶硅栅极刻蚀之前增加一步氧化物对多晶硅栅极高选择比的刻蚀工艺，完全去除残留的抗反射涂层，使得刻蚀后的多晶硅形貌光滑完整，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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