一种纳米光刻方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了纳米光刻技术领域中的一种纳米光刻方法及装置。本发明专利技术设备包括飞秒激光器、透光基板、光刻掩膜版、光刻胶和基底。本发明专利技术利用飞秒激光器在光刻掩膜版上形成特定的超衍射极限的图形，并且通过调控光刻掩膜版材料、改变光刻掩膜版上表面等离子激元激励结构和调节曝光波长，实现对超衍射极限图形的形状、分布、及大小的调控；同时，引入光刻胶的双光子吸收现象，通过控制飞秒激光曝光源的功率，实现对光刻胶曝光图形的线宽的调控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米光刻
，特别涉及一种纳米光刻方法及装置。
技术介绍
纳米光刻是微纳加工技术中非常重要的一个步骤。然而由于光学衍射极限的存在，纳米光刻不能进一步的缩小器件尺寸、提高加工精度。目前而言，缩小光刻中的曝光波长是最为有效的解决方法。纳米光刻中的曝光波长从最初的365纳米(i线)进一步减小到如今的193nm。同时人们也在研究极深紫外波长(EUV，13nm)的相关技术，以满足将来的器件尺寸的要求。减小波长的同时，人们还想出了许多技术手段辅以改善目前光刻的加工精度，如相移掩膜技术、油浸光刻、二次成像技术等。然后，随着波长的减小，纳米光刻中涉及到的技术难题也越来越多，研发、生产成本也随之迅速增长。以浸没式光刻为例。高折射率浸没液体会污染光刻胶，影响后续加工。浸没液体中的气泡也会使光刻图形发生形变。同时浸没液体的引入也使得整个加工流程变得复杂。为了实现高分辨率的成像，浸没式光刻中所用的光学透镜组体积庞大、造价昂贵。此外，高效稳定的193nm光源也是需要解决的技术难题。表面等离子体(Surface Plasmons, SPs)是指在金属表面存在的自由振动的电子与光子相互作用产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米光刻装置，其特征在于，该装置包括：基底，用于得到超衍射极限条纹；位于基底之上的光刻胶，用于对光刻掩膜版形成的图形进行压缩和记录；位于光刻胶之上的光刻掩膜版，用于掩膜光刻；位于光刻掩膜版之上的透光基板，用于生成光刻掩膜版；飞秒激光器，用作进行光刻的曝光源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仿，李云翔，黄翊东，肖龙，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：