包含碱反应活性组分的组合物和用于光刻法的方法技术

本发明专利技术提供一种用于浸没光刻的新的光致抗蚀剂组合物。本发明专利技术优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种具有碱反应活性基团的材料。本发明专利技术具体优选的光致抗蚀剂组合物可以在浸没光刻工艺过程中降低抗蚀剂材料向与所述抗蚀剂层接触的浸没流体的浸出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请要求2009年12月11日提交的美国临时专利申请第61/285，754号的优先权，通过引用将该申请全文纳入本文。本专利技术涉及具体用于浸没光刻工艺的新的光致抗蚀剂组合物。本专利技术优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种具有碱反应活性基团(base-reactive group)的材料,所述碱反应活性基团是在抗蚀剂显影步骤中在含水碱性光致抗蚀剂显影的存在下能进行分裂反应的官能团。光致抗蚀剂是用来将图像转移到基材上的光敏膜。在基材上形成光致抗蚀剂涂层，然后光致抗蚀剂层通过光掩模对活性辐射源曝光。所述光掩模具有对活性辐射不透明的区域以及对活性辐射透明的其它区域。对活性辐射的曝光对光致抗蚀剂涂层提供光诱导的化学转化，从而将光掩模的图案转移到光致抗蚀剂涂覆的基材上。曝光之后，将光致抗蚀剂显影以提供能选择性加工基材的浮雕图像。参见美国专利申请公开第2006/0246373和 2009/0197204 号。半导体工业的发展由摩尔定律推动，该定律声称IC装置的复杂性平均每两年翻一番。这必须需要通过光刻法转移特征体尺寸日益降低图像和结构。虽然目前已有的光致抗蚀剂适用于多种应用，但目前的抗蚀剂仍具有明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.11 US 61/285,7541.一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包括 (a)在基材上施用光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含 (i) 一种或多种树脂， ( )光活性组分，和 (iii) 一种或多种包含碱反应活性基团的材料，所述一种或多种材料与所述一种或多种树脂不同；以及 (b)将所施用的光致抗蚀剂层浸没曝光于用来活化所述光致抗蚀剂组合物的辐射。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述一种或多种材料与所述一种或多种树脂基本上不可混合。3.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述一种或多种材料在施用过程中向所述光致抗蚀剂组合物层的上部迁移。4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述(iii)一种或多种材料的表面能低于所述(i) 一种或多种树脂。5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述一种或多种材料包含与碱反应以提供羟基、羧基或磺酸基的基团。6.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于,所述一种或多种材料包含与含水碱性显影剂反应以提供羟基、羧基或磺酸基的基团。7.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，包含碱反应活性基团的一种或多种材料包括树脂，所述碱反应活性树脂具有包含多个碱反应活性部分的重复单元。8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述碱反应活性基团包括氟化酯。9.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其特征在于,所述一种或多种材料包含一种或多种氟基团或氟取代基团。10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·王，刘进荣，刘骢，D·康，A·赞皮尼，C·徐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：
国别省市：