含水碱性清洁组合物及其应用方法技术

本发明专利技术涉及含水碱性清洁组合物，其不含有机溶剂和不含无金属离子的硅酸盐，所述组合物含有：（A）具有至少一个伯氨基和至少一个巯基的硫代氨基酸；（B）季铵氢氧化物；（C）选自以下的螯合剂和/或腐蚀抑制剂：具有至少两个伯氨基的脂族和脂环族的胺，和具有至少一个羟基的脂族和脂环族的胺；（D）选自以下的非离子性表面活性剂：炔属醇，烷氧基化炔属醇，以及烷氧基化的脱水山梨醇单羧酸单酯；涉及所述碱性清洁组合物用于加工基材的用途，所述基材可用于制造电子设备和光学设备；还涉及用于加工基材的方法，所述基材可用于制造电子设备和光学设备，其中在所述方法中使用所述含水碱性清洁组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于加工基材的新的含水碱性清洁组合物，所述基材可用于制造电子设备和光学设备，尤其是电子设备，包括用于表面制备、预折清洁(pre-plaitingcleaning),蚀刻后清洁和化学机械抛光后清洁的组合物。此外，本专利技术涉及用于加工基材的新方法，所述基材可用于制造电子设备和光学设备，尤其是电子设备，包括用于表面制备、预折清洁、蚀刻后清洁和化学抛光后清洁的新方法，所述新方法使用新的含水碱性清洁组合物。引用的文献将在本申请中所引用文献的全部内容引入供参考。现有技术的描述电子设备以及光学设备的生产需要高度精确的方法，所述电子设备尤其是半导体集成电路(IC);液晶板；有机场致发光板；印刷电路板；微型机械；DNA芯片；微型设备和磁头；优选具有LSI (大规模集成)或VLSI (超大规模集成)的IC ;光学设备尤其是光学玻璃，例如光掩膜、透镜和棱镜；无机导电膜，例如氧化铟锡(ITO);光学集成电路；光学开关元件；光学波纹导管；光学单晶，例如光纤和闪烁器的端面；固体激光单晶；用于蓝色激光器LED的蓝宝石基材；半导体单晶；以及用于磁盘的玻璃基材，所述方法尤其涉及表面制备、预折清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.19 US 61/365,3621.含水碱性清洁组合物，其不含有机溶剂和不含无金属离子的硅酸盐，所述组合物含有(A)至少一种具有至少一个伯氨基和至少一个巯基的硫代氨基酸，(B)至少一种季铵氢氧化物，(C)至少一种选自以下的螯合剂和/或腐蚀抑制剂具有至少两个伯氨基的脂族和脂环族的胺，和具有至少一个羟基的脂族和脂环族的胺，(D)至少一种选自以下的非离子性表面活性剂炔属醇，烷氧基化炔属醇，以及烷氧基化的脱水山梨醇单羧酸单酯。2.根据权利要求1的含水碱性清洁组合物，其中氨基酸(A)具有通式1:HS- [-C (-R1) (-R2) -]n-C (-R3) (-NH2) -COOH (I)，其中，指数和符号具有以下含义 η是1-3的整数，R1和R2各自独立地选自-氢原子；-直链和支化的、饱和和不饱和的、取代和未取代的具有1-10个碳原子的脂族残基；-取代和未取代的、饱和和不饱和的具有3-8个碳原子的环烷基残基；-取代和未取代的、饱和和不饱和的烷基环烷基残基，其中烷基具有1-4个碳原子且环烷基具有3-8个碳原子；-取代和未取代的具有6-16个碳原子的芳基；-取代和未取代的烷基芳基残基，其中烷基具有1-4个碳原子且芳基具有6-16个碳原子;-取代和未取代的环烷基芳基残基，其中环烷基具有3-8个碳原子且芳基具有6-16个碳原子；-取代和未取代的具有至少一个选自氧、硫、氮和磷原子的杂原子的杂芳基残基；-取代和未取代的烷基杂芳基残基，其中烷基具有1-4个碳原子，并且杂芳基具有至少一个选自氧、硫、氮和磷原子的杂原子；-取代和未取代的环烷基杂芳基残基，其中环烷基具有3-8个碳原子，并且杂芳基具有至少一个选自氧、硫、氮和磷原子的杂原子；-取代和未取代的芳基杂芳基残基，其中芳基具有6-16个碳原子，并且杂芳基具有至少一个选自氧、硫、氮和磷原子的杂原子；或者，R1和R2 —起形成饱和或不饱和的、取代或未取代的具有3-6个碳原子的环，其中没有碳原子或者I或2个碳原子被选自氧、硫、氮和磷原子的一个杂原子代替；R3是单个残基R1或R2，或是共价键，或是二价基团，所述二价基团将带有氨基和羧基的碳原子连接至基团R1或R2中的一个或连接至由基团R1和R2形成的环。3.根据权利要求2的含水碱性清洁组合物，其中硫代氨基酸(A)是外消旋混合物或对映异构体混合物，或是相应的对映异构体或非对映异构体之一。4.根据权利要求3的含水碱性清洁组合物，其中残基R1、! 2和R3中的至少一个是氢原子。5.根据权利要求4的含水碱性清洁组合物，其中硫代氨基酸(A)的全部残基R1、R2和R...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·梅利斯，A·克里普，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：