移除材料及转印图案的方法及系统技术方案

本发明专利技术描述了可通过在受控组合物的气体气氛中暴露于来自能量源的真空紫外(VUV)辐射移除基板上的聚合材料。本发明专利技术还描述了在进行所述移除后，用另外的蚀刻技术进行纳米压印。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】移除材料及转印图案的方法及系统相关申请的交叉引用本申请案要求2010年I月27日提交的美国专利申请案序号第61/298734号、2010年I月28日提交的美国专利申请案序号第61/299097号、以及2011年I月26日提交的美国专利申请案序号第13/014508号之优先权，这些专利申请案之全文皆在此并入本案以为參考。
技术介绍
纳米制造包括制造具有约100纳米或更小的特征件的很小的结构。ー种其中纳米制造已具有相当大的影响之应用为集成电路加工。半导体加工エ业持续为更大的生产率且 同时可增加在基板上所形成的每单位面积之电路而努力，因此，纳米制造变得愈来愈重要。纳米制造提供更大的エ艺控制且同时可持续地降低所形成结构体的最小特征件尺寸。其中纳米制造业经使用的其它研发领域包括生物科技、光学科技、机械系统等。一种现在被使用的示例性纳米制造技术通称为压印光刻法。示例性的压印光刻法エ艺详细描述在许多公开出版物内，诸如美国专利公开第2004/0065976号、美国专利公开第2004/0065252号、以及美国专利第6936194号，这些专利文献全部在此并入本案以为參考资料。ー种掲示在各上述美国专利公开案及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·M·施米德，M·N·米勒，BJ·乔伊，D·J·雷斯尼克，S·V·斯里尼瓦桑，F·Y·徐，D·D·唐纳德森，
申请(专利权)人：分子制模股份有限公司，
类型：
国别省市：