光刻方法技术

本发明专利技术提供了一种光刻方法，该方法包括：在待刻蚀半导体层上形成矩形光刻胶后，通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶以形成类骨状图案化的光刻胶。由于在易出现线边缘短化的对应光刻胶部位进行了补偿，因此，避免了由于LES(Line?edge?shortening)效应引起的刻蚀后的半导体层矩形形状边缘短化的问题，进而使半导体器件性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
半导体制造工艺中的缺陷是影响半导体器件的良率以及器件性能的一个主要因素。在制作小尺寸半导体器件时，工艺上对于光刻以及刻蚀工艺要求尤为严格。在光刻工艺中，尤其是在制作小尺寸形状时，由于光学衍射效应和刻蚀本身不能做到百分百各向异性，使得会出现刻蚀后难以达到预期形状的问题。如在光刻形成矩形细条时，由于光刻工艺的限制，并不能形成规则的矩形立方结构的光刻胶；即便是能够形成规则的矩形立方结构，在后续的刻蚀过程中，由于刻蚀并不能做到完全各向异性，即在向下刻 蚀显影出来的部分的同时，也会侧向刻蚀，这样在光刻胶的矩形的边角处，就会受到多个方向的侧向刻蚀，逐步失去规则的矩形边角，在刻蚀过程中这种不规则的图案会进一步地传递到最终的刻蚀层。即在最终刻蚀层的矩形细条形状的长宽拐角处会出现形状上的坍缩。一般将这种现象称之为线边缘短化(LES, Line edge shortening)。如在使用光刻-冻结-光刻-刻蚀工艺(LFLE，Litho-Freeze-Litho-Etch)制作细条状矩形多晶栅时，如图Ia-Id所示，在多晶栅层I上形成第一条本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻方法，包括：在待刻蚀半导体层上形成条纹状第一光刻胶层；对所述第一条纹光刻胶层进行冻结处理；在所述第一条纹光刻胶层上形成与其正交的第二条纹光刻胶层；对所述第一条纹光刻胶层进行过刻蚀处理；对所述第二条纹光刻胶层进行过去除处理，形成矩形光刻胶；通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶；以回流过的光刻胶作为掩膜对待刻蚀半导体层进行刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬江，孟晓莹，周俊卿，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：