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本发明提供了一种光刻方法，该方法包括：在待刻蚀半导体层上形成矩形光刻胶后，通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶以形成类骨状图案化的光刻胶。由于在易出现线边缘短化的对应光刻胶部位进行了补偿，因此，避免了由于LES(Lin...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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