一种用于反应室的旋转装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于MOCVD设备的旋转装置，包括：主轴（1），该主轴安装在下法兰上并通过磁流体封板（2）与下法兰密封，将反应室内部与外界完全隔开，所述的旋转主轴（1）通过磁流体密封装置（3）与马达（4）连接。所述主轴（1）的上端面沿轴向方向同轴心设有一个通孔，该通孔一直延伸至下法兰端面，且旋转主轴上端面沿径向设有梅花状分布的小孔，这些小孔与轴向的通孔连通，所述的下法兰上设有一氮气进气入口（5），该氮气入口与主轴轴向通孔的底部连通。本发明专利技术反应室密封性能好，旋转主轴不易发生热变形现象，载片盘的动平衡稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制备半导体薄膜的技术，尤其涉及一种用于MOCVD设备反 应室的旋转装置。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organicChemical Vapor DePosition,简称M0CVD)是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。MOCVD反应室是源材料在衬底基片上进行外延生长的地方，它对外延层厚度的均匀性、组分、本底杂质的浓度以及外延膜产量有极大的影响，故在反应室设计过程中有很多必须考虑的因素，其中载片盘旋转装置就是核心部件之一。现有载片盘旋转装置存在以下问题 I.载片盘的旋转是在高温、密封、洁净的反应室内进行的，利用托盘高速旋转产生泵效应来抑制对流漩涡，使载片盘上的各个方位的基片都能得到较均匀的反应源粒子浓度供给，但由于MOCVD系统中的晶体生长温度达500-1200°C，高温托盘的变速旋转易损害反应室的高密封性能。2.旋转主轴在高温环境下长时间高速旋转，易发生热变形现象，导致基片托盘的动平衡不稳定，基片虽然随托盘转动了，只能获得不断重复变化的气氛和热场。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种用于MOCVD设备 反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于反应室的旋转装置，其特征在于包括：主轴（1），该主轴安装在反应室下法兰上并通过磁流体封板（2）与下法兰密封，将反应室内部与外界完全隔开，所述的旋转主轴（1）通过磁流体密封装置（3）与马达（4）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖四哲，邓金生，贺有志，王钢，范冰丰，童存声，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，佛山市中山大学研究院，
类型：发明
国别省市：