【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体清洗
，特别涉及一种防断电保护的硅片清洗机。
技术介绍
在半导体行业，需要对硅片后道エ艺铜互连阶段后，多孔性介质材料进行超精细清洗，Chuck (卡盘)夹持的硅片高速旋转进行清洗时在エ艺腔室内完成，清洗包括药液漂洗、超纯水冲洗和凡甩干等エ艺。在清洗的过程为了实现对化学药液的回收利用，エ艺腔室采用分层设计，Up/down单元带动Chuck至各エ艺位置，由伺服电机带动Chuck做高速旋转运动，通过离心カ将化学药液甩到专用的回收槽里面。为了防止化学液向下发生滴漏，需要在エ艺腔室底背部向上吹N2，从而在硅片底部形成ー层自下而上的气体保护膜。一般情况下，如果设备突然发生断电，化学液将会残留在硅片上面，此时如果硅片底部N2保护气发生中断，液体将可能通过硅片边缘滴漏到エ艺腔室里面，严重污染清洗环境的清洁度。整个 设备如果采用UPS断电保护，成本较高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种防断电保护的硅片清洗机，对N2管路进行双通道设计，从而保证整个清洗过程N2通道始終处于畅通状态。(ニ)技术方案本...
【技术保护点】
一种防断电保护的硅片清洗机，其特征在于，包括：工艺腔室和位于工艺腔室底部的N2管路，所述N2管路包括：常开N2管路和常闭N2管路，所述常开N2管路与常闭N2管路并联设置，所述常开N2管路上设有常开波纹密封阀，所述常闭N2管路上设有常闭波纹密封阀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张绍国，何金群，裴立坤，吴仪，王好肖，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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